[发明专利]导热层、发光二极管、半导体器件及其制备方法

说明书

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种导热层、发光二极管、半导体器件及其制备方法。本发明的发光二极管的导热层，包括依次设置的金属粘结层、金属反射层、金属阻挡层和导热金属层。本发明通过设置上述的导热层，以起到改善芯片导热系数的作用，进而改善散热效果。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种导热层、发光二极管、半导体器件及其制备方法。

背景技术

发光二极管(英文为Light Emitting Diode，简称LED)是利用半导体的P-N结电致发光原理制成的一种半导体发光器件。LED具有无污染、亮度高、功耗小、寿命长、工作电压低、易小型化等优点。自20世纪90年代氮化镓(GaN)基LED开发成功以来，随着研究的不断进展，其发光亮度也不断提高，应用领域也越来越广。随着功率型GaN基LED的效率不断提升，用GaN基LED半导体灯替代现有的照明光源将成为势不可挡的趋势。然而半导体照明要进入千家万户，还有许多问题需要解决，其中最核心的就是发光效率和散热不均匀导致的使用寿命问题。

在现有技术中，提高二极管散热的方法包括：在LED固晶区部分用高导热材料替换原来的BT板(Bismaleimide Triazine，BT树脂基板材料)，高导热材料为铜、陶瓷或者其它导热材料。LED芯片固晶在高导热材料上，LED芯片外覆盖高温胶，使LED芯片直接与高导热材料接触，这样做LED产生的热量能迅速向下传导至驱动板上，来改善散热性能。现有技术中存在芯片本身导热性能较差(45W/mk)，封装散热效果不好的技术问题。

有鉴于此，特提出本发明。

发明内容

本发明的一个目的在于提供一种发光二极管的导热层，以解决现有技术中存在芯片本身导热性能较差，封装散热效果不好的技术问题；本发明的导热层可改善芯片导热系数，进而起到改善芯片的导热性能的作用。

本发明的另一个目的在于提供一种发光二极管，具有很好的散热效果。

本发明的另一个目的在于提供一种半导体器件，具有优异的散热效果。

本发明的另一个目的在于提供一种半导体器件的制备方法，简单易行。

为了实现本发明的上述目的，特采用以下技术方案：

一种发光二极管的导热层，所述导热层包括依次设置的金属粘结层、金属反射层、金属阻挡层和导热金，层。

在一实施方式中，所述金属粘结层包括Ti层、Cr层和Rh层中的至少一种；

和/或，所述金属粘结层的厚度为10A～50A。

在一实施方式中，所述金属反射层包括Al层和/或Ag层；

和/或，所述金属反射层的厚度为16KA～20KA。

在一实施方式中，所述导热金属层包括Au层和/或Cu层；

和/或，所述导热金属层的厚度为9KA～20KA。

在一实施方式中，所述金属阻挡层包括Pt层、Ti层和Ni层中的至少一种；

在一实施方式中，所述金属阻挡层的厚度为4.7KA～10.3KA；

在一实施方式中，所述金属阻挡层依次包括第一Ti层、第一Pt层、第二Ti层和第一Ni层，所述第一Ti层与所述金属反射层相连接；

在一实施方式中，所述第一Ti层的厚度为1.5KA～2.5KA，所述第一Pt层的厚度为1.5KA～2.5KA，所述第二Ti层的厚度为0.2KA～0.8KA，所述第一Ni层的厚度为2KA～5KA。

一种发光二极管，至少包括：