[发明专利]一种适用于室内发电的硅异质结太阳电池结构及其制备方法

权利要求书

1.一种适用于室内发电的硅异质结太阳电池结构，包括单晶硅基底，所述单晶硅基底具有第一表面和与第一表面相背对的第二表面，所述单晶硅基底的第一表面上依次叠设有第一本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层，所述单晶硅基底的第二表面上依次叠设有第二本征非晶硅层、第二掺杂非晶硅层；

其特征在于：所述第一本征非晶硅层具有第一区域和第二区域，所述第一区域环绕第二区域设置，所述第一区域的厚度大于第二区域的厚度，而使第一区域与第二区域配合形成第一台阶结构，且所述第一区域的厚度足以使由所述第一掺杂非晶硅层在所述单晶硅基底中诱导出的反型层终止在所述单晶硅基底内部；

其中，所述第一掺杂非晶硅层、反型层是第一导电类型的，所述单晶硅基底和第二掺杂非晶硅层是第二导电类型的。

2.根据权利要求1所述的硅异质结太阳电池结构，其特征在于，所述第一区域的厚度和宽度满足如下条件，即：能够使由所述第一掺杂非晶硅层在所述单晶硅基底中诱导出的反型层终止在所述单晶硅基底内与所述第二区域对应的区域之中；和/或，所述第一掺杂非晶硅层具有与所述第一台阶结构相对应的台阶结构；

和/或，所述的硅异质结太阳电池结构还包括分别设置于所述第一掺杂非晶硅层、第二掺杂非晶硅层上的第一透明导电膜层、第二透明导电膜层，以及分别设置于所述第一透明导电膜层、第二透明导电膜层上的第一电极、第二电极；

和/或，所述第一透明导电膜层具有与所述第一台阶结构相对应的台阶结构。

3.一种适用于室内发电的硅异质结太阳电池结构，包括单晶硅基底，所述单晶硅基底具有第一表面和与第一表面相背对的第二表面，所述单晶硅基底的第一表面上依次叠设有第一本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层，所述单晶硅基底的第二表面上依次叠设有第二本征非晶硅层、第二掺杂非晶硅层；

其特征在于：所述第一本征非晶硅层具有第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域围绕第二区域设置，所述第三区域分布在第二区域内，所述第一区域、第三区域的厚度均大于第二区域的厚度，而使第二区域分别与第一区域、第三区域配合形成第一台阶结构、第二台阶结构，且所述第一区域的厚度足以使由所述第一掺杂非晶硅层在所述单晶硅基底中诱导出的反型层终止在所述单晶硅基底内部；

其中，所述第一掺杂非晶硅层、反型层是第一导电类型的，所述单晶硅基底和第二掺杂非晶硅层是第二导电类型的。

4.根据权利要求3所述的硅异质结太阳电池结构，其特征在于，所述第三区域的厚度大于或等于第一区域的厚度，宽度为所述第一区域的宽度的两倍以上。

5.根据权利要求3所述的硅异质结太阳电池结构，其特征在于，所述第一台阶结构和第二台阶结构相互配合使由所述第一掺杂非晶硅层在所述单晶硅基底中诱导出的反型层终止在所述单晶硅基底内与所述第二区域对应的区域之中。

6.根据权利要求3所述的硅异质结太阳电池结构，其特征在于，所述第三区域分布有分片电池的切割线，当沿所述切割线分割所述硅异质结太阳电池结构形成分片电池后，每一分片电池的第一本征非晶硅层的第一区域和第三区域连接形成一环形区域，所述环形区域环绕相应的第二区域设置且与该第二区域配合形成所述第一台阶结构。

7.根据权利要求3所述的硅异质结太阳电池结构，其特征在于，还包括分别设置于所述第一掺杂非晶硅层、第二掺杂非晶硅层上的第一透明导电膜层、第二透明导电膜层，以及分别设置于所述第一透明导电膜层、第二透明导电膜层上的第一电极、第二电极。