[发明专利]一种接近接触式曝光装置在审
申请号: | 202111267783.6 | 申请日: | 2021-10-29 |
公开(公告)号: | CN113960894A | 公开(公告)日: | 2022-01-21 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 智慧星空(上海)工程技术有限公司;深圳智达星空科技(集团)有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 | 代理人: | 黎飞鸿;冯振华 |
地址: | 201413 上海市浦东新区中国(上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 接近 接触 曝光 装置 | ||
1.一种接近接触式曝光装置,其特征在于,用于将掩模图形接近式曝光或接触式曝光至工件上,包括:
照明匀光系统,用于产生接近式曝光或接触式曝光所用均匀平行光;
工件台,与所述照明匀光系统相对设置,用于放置所述工件;
掩模版,设置在所述照明匀光系统与所述工件台之间,设置有掩模图形;
透光膜,针对所述均匀平行光具有高透光性,设置在所述工件与所述掩模版之间,用于隔离所述工件所涂覆光刻胶与所述掩模版。
2.根据权利要求1所述的接近接触式曝光装置,其特征在于,所述透光膜设置在一透光膜系统上,所述透光膜系统包括第一转轴和第二转轴;所述第一转轴与第二转轴平行设置,用于在所述工件与所述掩模版之间滚动设置所述透光膜。
3.根据权利要求1所述的接近接触式曝光装置,其特征在于,所述均匀平行光为i线、gh线、ghi线、KrF曝光光源、ArF曝光光源或EUV曝光光源。
4.根据权利要求1所述的接近接触式曝光装置,其特征在于,所述透光膜的材质为聚酯膜、聚乙烯膜、PDMS膜、硝化纤维树脂膜或含F的树脂膜。
5.根据权利要求1所述的接近接触式曝光装置,其特征在于,接近式曝光时,所述透光膜与所述掩模版和所述工件非贴合设置;接触式曝光时,所述透光膜至少与所述掩模版和所述工件之一贴合设置。
6.根据权利要求1所述的接近接触式曝光装置,其特征在于,所述透光膜的厚度区间为纳米级至百微米级。
7.根据权利要求1所述的接近接触式曝光装置,其特征在于,所述掩模版支撑或吸附在掩模版台上,所述掩模台固定在第一六自由度的运动机构上;所述第一六自由度的运动机构用于调整所述掩模台的位置和姿态。
8.根据权利要求1所述的接近接触式曝光装置,其特征在于,所述工件支撑或吸附在工件台上,所述工件台固定在第二六自由度的运动机构上;所述第二六自由度的运动机构用于调整所述工件台的位置和姿态。
9.根据权利要求1所述的接近接触式曝光装置,其特征在于,所述接近接触式曝光装置还包括调焦调平系统,用于通过测量所述工件的光刻胶面与所述掩模版之间的至少两组点间隙,计算所述工件的光刻胶面与所述掩模版之间的间隙和平行度。
10.根据权利要求1所述的接近接触式曝光装置,其特征在于,所述接近接触式曝光装置还包括对准系统,设置有对准传感器,用于通过测量所述工件与所述掩模版上的对准标记,建立所述工件与所述掩模版图形之间的坐标关系。
11.根据权利要求7、8、10之任一项所述的接近接触式曝光装置,其特征在于,所述对准系统至少包括上对准机构、下对准机构和中对准机构之一;
所述上对准机构应用于工件的上表面设置有对准标记,所述下对准机构应用于工件的下表面设置有对准标记,所述中对准机构设置在所述掩模版与所述工件之间;对准方法为:
当所述工件输送到工作区域后,所述上对准机构、下对准机构和/或中对准机构基于设置在所述掩模版和所述工件上的对准标记建立所述工件与所述掩模版之间的位置关系;通过所述位置关系控制所述第一六自由度的运动机构和/或所述第二六自由度的运动机构完成所述工件与所述掩模版之间的位置对准。
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