[发明专利]利用二阶激基复合物的宽带发射有机电致发光器件

权利要求书

1.利用二阶激基复合物的宽带发射有机电致发光器件，其特征在于，利用高分子有机半导体混合物构建异质结结构，制备二阶激基复合物有机发光薄膜层；所述的二阶激基复合物有机发光薄膜层中包括一种有机半导体材料A和有机半导体材料B，有机半导体材料A分子链能够折叠，这种类似激基复合物的发光机制在同一分子链即A分子链内不同的独立部位间形成，产生新的具有辐射跃迁的电荷转移激发态，被称为“电子异构体”(Electromer)，复合物中的另一有机半导体材料B分子激发态(LUMO)和高分子有机半导体材料A分子中形成的Electromer的基态(HOMO)之间相互作用而能够产生的新的电荷转移态，定义为“二阶激基复合物”；利用上述两种不同能级结构的高分子材料有机半导体材料A和有机半导体材料B，在二阶激基复合物有机发光薄膜层中生成了电子异构体和二阶激基复合物新的电荷转移激发态，将OLED器件的发射光谱向长波方向显著拓展。

2.按照权利要求1所述的利用二阶激基复合物的宽带发射有机电致发光器件，其特征在于，发射光谱包括电激励下产生的激子复合发射、电子异构体发射、一阶和二阶激基复合物发射四种光谱成分。

3.按照权利要求1所述的利用二阶激基复合物的宽带发射有机电致发光器件，其特征在于，有机半导体材料A，选自PFB；有机半导体材料B选自F8BT。

4.按照权利要求3所述的利用二阶激基复合物的宽带发射有机电致发光器件，其特征在于，F8BT和PFB的摩尔配比最佳值在为1:4到1:5。

5.按照权利要求1-4任一项所述的利用二阶激基复合物的宽带发射有机电致发光器件，其特征在于，依次包括如下的层结构：阴极层、电子传输层、二阶激基复合物有机发光薄膜层、空穴传输层、ITO透明阳极层。

6.按照权利要求5所述的利用二阶激基复合物的宽带发射有机电致发光器件，其特征在于，ITO透明阳极层厚度范围100～300nm；空穴传输层为PEDOT:PSS，空穴传输层厚度范围5～20nm；电子传输层为电子传输层LiF，电子传输层厚度范围0.5～2nm；阴极厚度范围40～100nm。

7.按照权利要求5所述的利用二阶激基复合物的宽带发射有机电致发光器件，其特征在于，混合物有机发光薄膜层厚度范围60～100nm。

8.按照权利要求5所述的利用二阶激基复合物的宽带发射有机电致发光器件，其特征在于，激励电压的范围从2V到20V。

9.按照权利要求5所述的利用二阶激基复合物的宽带发射有机电致发光器件，其特征在于，实现二阶激基复合物的红光-近红外光发射。

10.按照权利要求5所述的利用二阶激基复合物的宽带发射有机电致发光器件，其特征在于，利用两种高分子材料的浓度配比的变化实现电致发光光谱随从黄光到红光的连续调谐以及发射带宽的调控；

在固定的配比浓度下，改变激励电压可以实现OLED发射光谱的调谐和带宽调控；

具有宽带发射的特性；其电致发光覆盖从蓝绿光到近红外的光谱范围。