[发明专利]微型发光二极管芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种微型发光二极管芯片，其特征在于，所述微型发光二极管芯片包括：外延结构(1)、钝化层(15)、第一电极(20)和第二电极(30)；

所述外延结构(1)包括依次层叠的第一半导体层(11)、多量子阱层(12)、第二半导体层(13)和透明导电层(14)，所述外延结构(1)的侧壁设有周向环绕所述外延结构(1)的环形凹槽(10)，所述环形凹槽(10)的截面为弧形，所述环形凹槽(10)位于所述第一半导体层(11)的侧壁、所述多量子阱层(12)的侧壁和所述第二半导体层(13)的侧壁上；

所述钝化层(15)位于所述透明导电层(14)远离所述多量子阱层(12)的一面，且延伸至所述第一半导体层(11)的侧壁、所述多量子阱层(12)的侧壁和所述第二半导体层(13)的侧壁，并覆盖所述环形凹槽(10)；

所述第一电极(20)位于所述第一半导体层(11)远离所述透明导电层(14)的表面，所述钝化层(15)具有通孔(150)，所述通孔(150)露出所述透明导电层(14)，所述第二电极(30)位于所述通孔(150)内，且位于所述透明导电层(14)的表面。

2.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片，其特征在于，所述环形凹槽(10)关于所述多量子阱层(12)的对称面对称，所述多量子阱层(12)的对称面为位于所述多量子阱层(12)靠近所述第一半导体层(11)的表面和靠近所述第二半导体层(13)的表面之间的平面，所述多量子阱层(12)关于所述对称面对称。

3.根据权利要求1所述的微型发光二极管芯片，其特征在于，所述环形凹槽(10)的截面对应的圆弧的圆心角(α)为140°至160°。

4.根据权利要求1至3任一项所述的微型发光二极管芯片，其特征在于，所述钝化层(15)包括依次层叠于所述透明导电层(14)上的第一多晶硅层(151)、第二多晶硅层(152)和第三多晶硅层(153)，所述第二多晶硅层(152)的致密度和所述第三多晶硅层(153)的致密度均小于所述第一多晶硅层(151)的致密度，所述第三多晶硅层(153)掺杂有氧。

5.根据权利要求4所述的微型发光二极管芯片，其特征在于，所述第一多晶硅层(151)的厚度为20埃至80埃，所述第二多晶硅层(152)的厚度为150埃至250埃，所述第三多晶硅层(153)的厚度为300埃至700埃。

6.根据权利要求1至3任一项所述的微型发光二极管芯片，其特征在于，所述第一电极(20)包括多个第一电极块(21)，多个所述第一电极块(21)沿所述第一半导体层(11)的边缘间隔排布。

7.根据权利要求6所述的微型发光二极管芯片，其特征在于，所述第一电极(20)还包括多个第二电极块(22)，多个所述第二电极块(22)位于所述第一半导体层(11)的中部，且多个所述第二电极块(22)相互间隔，所述第二电极块(22)的数量少于所述第一电极块(21)的数量。

8.一种微型发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上生长外延结构，所述外延结构包括依次层叠的第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层和透明导电层；

在所述外延结构的侧壁形成周向环绕所述外延结构的环形凹槽，所述环形凹槽的轴向截面为弧形，所述环形凹槽位于所述第一半导体层的侧壁、所述多量子阱层的侧壁和所述第二半导体层的侧壁上；

形成钝化层，所述钝化层延伸至所述第一半导体层的侧壁、所述多量子阱层的侧壁和所述第二半导体层的侧壁，且覆盖所述环形凹槽，所述钝化层上设有露出所述透明导电层的通孔；

通过所述通孔在所述透明导电层的表面形成第二电极；

在所述第一半导体层远离所述透明导电层的表面形成第一电极。