[发明专利]一种半导体器件驱动器的测试电路及其控制方法

权利要求书

1.一种半导体器件驱动器的测试电路，其特征在于，包括：正向导通支路、反向导通支路、门极接线端和阴极接线端；

正向导通支路能够正向导通百安培级脉冲电流，且导通期间正向维持低阻态；

反向导通支路能够在μs级时间内反向导通和关断kA级电流，且导通期间反向维持低阻态；

正向导通支路和反向导通支路并联，形成第一端点和第二端点；

第一端点与门极接线端相连接；

第二端点与阴极接线端相连接；

门极接线端和阴极接线端分别用于接入驱动器的门极和阴极；

其中，正向导通是指电流从所述门极接线端经过所述测试电路流向所述阴极接线端，反向导通是指电流从所述阴极接线端经过所述测试电路流向所述门极接线端。

2.根据权利要求1所述的半导体器件驱动器的测试电路，其特征在于，还包括：

调节电阻和/或调节电感；

正向导通支路和反向导通支路并联后与调节电阻和/或调节电感串联。

3.根据权利要求1所述的半导体器件驱动器的测试电路，其特征在于，还包括：

设置在阴极接线端和门极接线端的电压电流测量单元以及与电压电流测量单元连接的控制系统；

电压电流测量单元采集电压电流参数并实时上传到控制系统；

控制系统用于下发控制命令，控制测试电路和驱动器动作。

4.根据权利要求1所述的半导体器件驱动器的测试电路，其特征在于，

驱动器为能够输出正向电流和反向电流的驱动电路。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体器件驱动器的测试电路，其特征在于，

所述正向导通支路包括二极管；

所述反向导通支路包括多个并联的半导体开关器件，所述半导体开关器件为MOSFET、JFET或IGBT。

6.根据权利要求5所述的半导体器件驱动器的测试电路，其特征在于，

所述半导体开关器件为NMOS；

所述二极管的正极与NMOS的漏极连接形成所述第一端点；

所述二极管的负极与NMOS的源极连接形成所述第二端点；

NMOS的门极用于接收控制信号。

7.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体器件驱动器的测试电路，其特征在于，

所述正向导通支路包括二极管；

所述反向导通支路包括单个大电流容量的继电器或多个大电流容量的继电器并联，以满足反向导通支路具有在μs级时间内导通和关断kA级大电流的能力。

8.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体器件驱动器的测试电路，其特征在于，

所述正向导通支路包括晶闸管。

9.根据权利要求8所述的半导体器件驱动器的测试电路，其特征在于，

所述反向导通支路包括多个并联的半导体开关器件，所述半导体开关器件为MOS、JFET或IGBT；

所述半导体开关器件为MOS时：

所述晶闸管的阳极与MOS的漏极连接形成所述第一端点；

所述晶闸管的阴极与MOS的源极连接形成所述第二端点；

MOS的门极用于接收控制信号。

10.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体器件驱动器的测试电路，其特征在于，

正向导通支路包括二极管或可控开通器件晶闸管；

反向导通支路采用多个并联支路，每个并联支路包括串联的分段调节电阻、分段调节电感和分段控制开关。