[发明专利]芯片封装结构及制备方法

说明书

一种封装结构及其制备方法，所述封装结构包括：第一散热结构、第一电极、第二电极、第三电极、第四电极以及连接结构，其中：所述第一散热结构，设置在芯片背面；所述第一电极，其上表面与所述芯片的第一引出端耦接，其下表面与所述第三电极的上表面耦接；所述第二电极，其上表面与所述芯片的第二引出端耦接，其下表面与所述第四电极的上表面耦接；所述第三电极与所述第四电极的下表面均与PCB板连接；所述连接结构，连接所述第一散热结构与所述第一电极，且与所述芯片无接触。上述方案可以提高芯片的散热性能。

技术领域

本发明涉及芯片技术领域，尤其涉及一种芯片封装结构及制备方法。

背景技术

随着第三代化合物半导体材料的兴起，高频大功率应用对芯片的散热和抗干扰要求越来越高，同时氮化镓(GaN)体系的化合物半导体功率器件芯片的特性使得其主要活性层集中在器件上表面。水平结构的器件以及高频应用对封装提出了新的挑战，也为新的封装形式提供了机会。

发明内容

本发明实施例解决的是芯片的散热效果较差的技术问题。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种芯片封装结构，包括：第一散热结构、第一电极、第二电极、第三电极、第四电极，其中：所述第一散热结构，设置在芯片的背面；所述第一电极，其上表面与所述芯片的第一引出端耦接，其下表面与所述第三电极的上表面耦接；所述第二电极，其上表面与所述芯片的第二引出端耦接，其下表面与所述第四电极的上表面耦接；所述第三电极与所述第四电极的下表面均与PCB板连接。

可选的，所述连接结构连接所述第一散热结构与所述第一电极，且与所述芯片无接触。

可选的，所述第一散热结构，其第一端延伸出所述芯片的背面，其第二端设置在所述芯片的背面；所述第一散热结构的第一端为与所述连接结构连接的一端，所述第一散热结构的第二端为所述第一散热结构水平方向上的另一端。

可选的，所述第一散热结构的第二端延伸出所述芯片的背面。

可选的，所述第一电极的第一端位于所述芯片的范围之内，所述第一电极的第二端延伸出所述芯片的范围之外；所述第二电极的第一端位于所述芯片的范围之内，所述第二电极的第二端延伸出所述芯片的范围之外。

可选的，所述第三电极的第二端延伸出所述第一电极的范围之外，所述第三电极的第一端位于所述第一电极的范围之内；所述第四电极的第二端延伸出所述第二电极的范围之外，所述第四电极的第一端位于所述第二电极的范围之内。

可选的，所述第三电极的第一端与所述第四电极的第一端之间的距离，大于所述第一电极的第一端与所述第二电极的第一端之间的距离。

可选的，所述芯片封装结构还包括：第二散热结构；所述第二散热结构的下表面与所述第一散热结构的上表面接触，所述第二散热结构的上表面延伸至露出所述芯片封装结构表面。

可选的，所述连接结构包括以下任一种：锡球、铜柱。

本发明实施例提供了一种芯片封装结构的制备方法，用于制备上述任一实施例提供的芯片封装结构，包括：提供散热结构；所述散热结构包括第一散热结构；放置芯片及连接结构，并进行模压；所述第一散热结构放置在所述芯片的背面，模压材料的填充高度与所述芯片的第一引出端、第二引出端的下表面平齐；分别设置第一电极、第二电极、第三电极以及第四电极；对其他空余处进行填充。

本发明实施例提供了另一种芯片封装结构的制备方法，用于制备上述任一实施例提供的芯片封装结构，包括：提供基板并进行模压，所述基板包括第一电极、第二电极、第三电极以及第四电极；放置芯片及连接结构；所述芯片的正面朝向所述基板；模压材料的填充高度与所述第一电极和所述第二电极的上表面平齐；设置散热结构；所述散热结构包括第一散热结构；对其他空余处进行填充。