[发明专利]一种铁电隧道结器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202111258023.9 | 申请日： | 2021-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN113991015A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 许晓欣;余杰;高兆猛;孙文绚;张握瑜;李熠;尚大山 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G06N3/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 柳虹 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 隧道 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种铁电隧道结器件，其特征在于，包括：
第一电极；
介质层，所述介质层位于所述第一电极的一侧表面；
铁电层，所述铁电层位于所述介质层远离所述第一电极的一侧表面，所述铁电层的厚度小于5纳米；
第二电极，所述第二电极位于所述铁电层远离所述第一电极的一侧表面。
2.根据权利要求1所述的铁电隧道结器件，其特征在于，所述铁电层的厚度为2-5纳米，所述介质层的厚度为1-4纳米。
3.根据权利要求1所述的铁电隧道结器件，其特征在于，所述介质层的材料为氧化物。
4.根据权利要求3所述的铁电隧道结器件，其特征在于，所述介质层的材料为氧化硅。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的铁电隧道结器件，其特征在于，所述第一电极的材料为N型掺杂或P型掺杂的硅，所述第二电极的材料为金属材料。
6.根据权利要求1-4任意一项所述的铁电隧道结器件，其特征在于，所述铁电层的材料为掺杂的HfO2。
7.根据权利要求6所述的铁电隧道结器件，其特征在于，所述铁电层的材料为HZO。
8.一种铁电隧道结器件的制造方法，其特征在于，包括：
在第一电极上形成介质层；
在所述介质层上形成铁电层；
在所述铁电层上形成第二电极；
进行退火处理。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述介质层材料为氧化硅，所述第一电极的材料为N型掺杂的硅，则在第一电极上形成介质层包括：
利用氧化工艺氧化部分所述第一电极，以形成所述介质层。
10.一种储备池计算网络系统，其特征在于，包括权利要求1-7任意一项所述的铁电隧道结器件。
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