[发明专利]一种耐湿导热绝缘膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202111256061.0 申请日: 2021-10-27
公开(公告)号: CN113912883A 公开(公告)日: 2022-01-11
发明(设计)人: 张涛辉;伍平 申请(专利权)人: 广东安利华新材料科技有限公司
主分类号: C08J5/18 分类号: C08J5/18;C08J7/04;C08L23/16;C08L79/08;C08K9/06;C08K9/04;C08K3/22;C08K3/28;C09D4/06;C09D7/63;C08L27/18;B32B37/00;B32B37/10
代理公司: 深圳市励知致远知识产权代理有限公司 44795 代理人: 贾永华
地址: 523000 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 导热 绝缘 及其 制备 方法
【说明书】:

发明属于膜技术领域,具体涉及一种耐湿导热绝缘膜,包括:载体膜、形成在所述载体膜上的绝缘层,形成在所述绝缘层上的疏水膜,所述载体膜由弹性聚合物乙丙橡胶、疏水改性高空位缺陷的Al2O3/GaN、单硬脂酸甘油酯组成,所述绝缘层由绝缘聚合物聚酰亚胺、疏水改性高空位缺陷的Al2O3/GaN、单硬脂酸甘油酯组成,所述疏水膜由含石蜡‑硅的氟化液涂覆在聚四氟乙烯板上制得,所述疏水改性高空位缺陷的Al2O3/GaN是通过水热反应、煅烧、高温退火、疏水改性制得,本发明中的含石蜡‑硅的氟化液涂覆在聚四氟乙烯板上制得的疏水膜具有疏水作用,疏水改性高空位缺陷的Al2O3/GaN可以捕获水中的电荷载流子,加速电荷复合,抑制导电,疏水改性高空位缺陷的Al2O3/GaN可以与疏水膜起到协同耐湿的作用。

技术领域

本发明属于膜技术领域,具体涉及一种耐湿导热绝缘膜及其制备方法。

背景技术

随着电子行业的迅猛发展,电子设备装置越来越大众化,同时,电子设备的体积越来越小,功能也越来越多。这就要求电子设备的内部芯片或电子模块功能强大,且运行速度越来越快,而由此产生的热也越来越多,集聚于芯片某点或电子模块某点的热能也越来越多,而电子设备内短薄轻小的空间无法或很难单纯靠设置风扇来把热传导出去,当芯片或电子模块在高温环境下会降低工作性能,缩短工作寿命,因此,如何快速、有效地将电子设备内的热量传递出去,成为一种客观需求。

电绝缘膜是薄的塑料片材,可应用于如下器件的电子元件中:计算机、打印机、传真机、家用电器、音频设备、视频设备、电话、收音机、发动机、发电机、电线、电缆,等等,但是仅仅绝缘是不能满足更多需求的,如何给绝缘膜附加上耐湿导热的功能是亟需解决的问题。

发明内容

(一)解决的技术问题

本发明要解决常规绝缘膜材料的耐湿导热性能差的问题。

(二)技术方案

为解决上述问题,本发明提供一种耐湿导热绝缘膜,该绝缘膜包括:载体膜、形成在所述载体膜上的绝缘层,以及形成在所述绝缘层上的疏水膜,所述载体膜由弹性聚合物乙丙橡胶、疏水改性高空位缺陷的Al2O3/GaN、单硬脂酸甘油酯组成,所述绝缘层由绝缘聚合物聚酰亚胺、疏水改性高空位缺陷的Al2O3/GaN、单硬脂酸甘油酯组成,所述疏水膜由含石蜡-硅的氟化液涂覆在聚四氟乙烯板上制得,所述疏水改性高空位缺陷的Al2O3/GaN是通过水热反应、煅烧、高温退火、疏水改性制得。

本发明还提供了一种耐湿导热绝缘膜的制备方法,包括以下步骤:(1)称取Al(NO3)3·9H2O溶于蒸馏水中,加入GaN,在连续搅拌下混合,其次,滴加1mol/LNaOH溶液至pH值在9左右,于120℃搅拌1小时后,过滤沉淀粉末并用蒸馏水洗涤5次,干燥后,将所得固体粉末以5℃/min的加热速率煅烧,最后退火得到高空位缺陷的Al2O3/GaN;

(2)将高空位缺陷的Al2O3/GaN先分散在水中,得到分散均匀的溶液,再加入碳数6以上的脂肪酸,水浴恒温搅拌,在干燥箱恒温干燥制备出亲油性高空位缺陷的Al2O3/GaN,再加入硅氧烷偶联剂和有机溶剂,进行混合,搅拌水解至有机溶剂挥发完全,得到混合物,将混合物置于氨气气氛中进行热解处理,得到疏水改性高空位缺陷的Al2O3/GaN;

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