[发明专利]辊到辊原子层沉积装置

说明书

本发明涉及一种辊到辊原子层沉积装置，更详细而言，涉及一种用于在柔性基板沉积原子层的原子层沉积装置。根据本发明的实施例的辊到辊原子层沉积装置包括：外壳，提供保持密闭状态的内部空间；基板移送组件，配备于外壳的内部空间，并包括多个辊单元；以及气体供应组件，在借由基板移送组件而移送的柔性的基板的一表面及另一表面沉积原子层，其中，气体供应组件包括：上部气体供应模块，与基板的一表面面对；下部气体供应模块，与上部气体供应模块将基板置于之间而隔开并与基板的另一表面面对，上部气体供应模块及下部气体供应模块包括沿着基板的移送方向而布置的至少一个吹扫气体供应单元、至少一个反应气体供应单元及至少一个源气体供应单元。

技术领域

本发明涉及一种原子层沉积装置，更详细而言，涉及一种用于在柔性的基板沉积原子层的原子层沉积装置。

背景技术

通常，作为在半导体基板或玻璃等的基板上沉积预定厚度的薄膜的方法，有如溅镀(sputtering)等利用物理碰撞的物理气相沉积法(PVD：physical vapor deposition)和利用化学反应的化学气相沉积法(CVD：chemical vapor deposition)等。

近来，随着半导体元件的设计规则(design rule)急剧微细化，要求微细图案的薄膜，并且形成薄膜的区域的阶梯差也变得非常大，因此不仅能够非常均匀地形成原子层厚度的微细图案，而且阶梯覆盖性(step coverage)也优异的原子层沉积方法(ALD：atomiclayer deposition)的使用正在增加。

这种原子层沉积方法在利用气体分子间的化学反应这一点上与一般的化学气相沉积方法相似。但是，与通常的CVD将向工艺腔室内同时注入多个气体分子而产生的反应生成物沉积于基板的方式不同，原子层沉积方法的差异在于，将包括一个源物质的气体注入到工艺腔室内而使其吸附于加热的基板，之后将包括另一个源物质的气体注入到工艺腔室，从而在基板表面沉积通过源物质之间的化学反应而产生的生成物。

但是，目前研究的时分方式原子层沉积方法存在生产率较低的问题。

【现有技术文献】

[专利文献]

韩国授权专利第10-1902260号(2018年9月19日)

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种在确保高生产率的同时提供高品质的薄膜的原子层沉积装置。

根据本发明的实施例的一方面的辊到辊原子层沉积装置包括：外壳，提供保持密闭状态的内部空间；基板移送组件，配备于所述外壳的所述内部空间，并包括多个辊单元；以及气体供应组件，在借由所述基板移送组件而移送的柔性的基板的一表面及另一表面沉积原子层，其中，所述气体供应组件包括：上部气体供应模块，与所述基板的一表面面对；下部气体供应模块，与所述上部气体供应模块将所述基板置于之间而隔开并与所述基板的另一表面面对，所述上部气体供应模块及所述下部气体供应模块包括沿着所述基板的移送方向而布置的至少一个吹扫气体供应单元、至少一个反应气体供应单元及至少一个源气体供应单元。

并且，所述外壳的所述内部空间的压力可以形成为大于0.5个大气压且小于1.5个大气压，并且惰性气体可以填充有90％以上且小于100％。

并且，所述上部气体供应模块及所述下部气体供应模块还可以包括：气体供应模块主体，形成外形；加热单元，配备于所述气体供应模块主体的内部；抽吸单元，用于吸入剩余源气体及反应气体，以所述基板的移送方向为基准，在所述源气体供应单元及所述反应气体供应单元的前方及后方可以分别形成有与所述抽吸单元相连接的抽吸流路，以所述基板的移送方向为基准，所述吹扫气体供应单元的宽度可以形成为大于所述源气体供应单元或所述反应气体供应单元的宽度。