[发明专利]一种高压集成电路和半导体电路

权利要求书

1.一种高压集成电路，其特征在于，包括：

依次电性连接的自举电路、高压转换电路和高压输出驱动，所述高压输出驱动的输出端与相应的芯片输出管脚相连接；在所述自举电路与电源端之间还设置有开关管，所述开关管被配置为常开状态，当检测到电路出现闩锁效应时，所述开关管切换为关闭状态；

依次电性连接的滤波转换电路、死区互锁电路和输入电路，所述输入电路分别与脉冲电路的一端以及延迟电路的一端电性连接，电源端与压带保护电路的输入端电连接，所述压带保护电路的第一输出端与脉冲电路的一端电性连接，所述脉冲电路的另一端通过高压转换电路与高压输出驱动电连接，所述压带保护电路的第二输出端与延迟电路的另一端均通过低压转换电路与相应芯片输出管脚相连接，所述压带保护电路设置有开关端口与开关管的栅极电性连接。

2.根据权利要求1所述的高压集成电路，其特征在于，所述压带保护电路包括欠压检测电路、过压检测电路、过压计时电路和逻辑控制电路；所述过压检测电路与过压计时电路电性连接，电源端分别通过欠压检测电路、过压检测电路、过压计时电路与逻辑控制电路的输入端电连接，所述逻辑控制电路的输出端包括第一输出端和第二输出端。

3.根据权利要求2所述的高压集成电路，其特征在于，所述欠压检测电路包括第一偏置电路、第一比较器和第一逻辑电路，电源端依次通过第一偏置电路和第一比较器与第一逻辑电路电性连接，所述第一逻辑电路的输出端与逻辑控制电路的输入端电连接。

4.根据权利要求2所述的高压集成电路，其特征在于，所述过压检测电路包括第二偏置电路、第二比较器和第二逻辑电路，电源端依次通过第二偏置电路和第二比较器与第二逻辑电路电性连接，所述第二逻辑电路的输出端分别与逻辑控制电路的输入端、过压计时电路的输入端电性连接。

5.根据权利要求4所述的高压集成电路，其特征在于，所述过压计时电路包括依次电性连接的输入逻辑电路、RC延时电路、第三比较器和输出逻辑电路，所述第二逻辑电路的输出端与输入逻辑电路电连接，所述输出逻辑电路与逻辑控制电路的输入端电连接。

6.根据权利要求5所述的高压集成电路，其特征在于，所述RC延时电路被配置为10-20ms中任意一数值。

7.根据权利要求2所述的高压集成电路，其特征在于，所述逻辑控制电路包括第一非门模块、第二非门模块、第三非门模块、第四非门模块、第一与非门模块和第二与非门模块；所述过压检测电路的输出端与第一与非门模块的输入端电连接，所述过压计时电路的输出端通过第一非门模块与第一与非门模块的输入端电连接；所述欠压检测模块通过第二非门模块与第二与非门模块的输入端电连接，所述第一与非门模块的输出端通过第三非门模块与第二与非门模块的输入端电连接，所述第二与非门模块的输出端通过第四非门模块与F0端电连接，所述第二与非门模块的输出端与相应的EN-端、H端和L端电连接。

8.根据权利要求1所述的高压集成电路，其特征在于，所述开关管为场效应管。

9.一种半导体电路，其特征在于，包括模块框架、高压集成芯片和晶体管，所述高压集成芯片包括如权利要求1-8中任意一项所述的高压集成电路，所述高压集成芯片包括输入引脚和输出引脚，所述模块框架设置有输入连接点和输出连接点，所述高压集成芯片和晶体管均设置于模块框架处，所述高压集成芯片的输出引脚均通过相应的晶体管与模块框架处的输出连接点相接，所述高压集成芯片的输入引脚与模块框架处的输入连接点相接。

10.根据权利要求9所述的半导体电路，其特征在于，所述智能功率芯片的基板架构采用IMS基板架构、DBC基板架构和CIS基板架构中的任意一种。