[发明专利]分立器件的晶圆测试方法在审
| 申请号: | 202111249965.0 | 申请日: | 2021-10-26 |
| 公开(公告)号: | CN114019338A | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
| 发明(设计)人: | 谢晋春;辛吉升 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号: | G01R31/26 | 分类号: | G01R31/26;G01R1/073 |
| 代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭四华 |
| 地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 分立 器件 测试 方法 | ||
1.一种分立器件的晶圆测试方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤一、芯片形成于晶圆上,在同一芯片上包括多个分立器件模块,各所述分立器件模块都具有一个以上的测试垫,根据所述芯片上的所有所述测试垫设置探针卡上的探针,使得所述芯片上的各所述分立器件模块的测试垫都能通过同一所述探针卡上的对应的所述探针接触;
步骤二、所述探针卡到所述测试仪之间具有多个测试通道,在各所述探针对应的所述测试通道上设置有开关模块,所述开关模块控制所述测试通道的导通或断开;
步骤三、测试时,将所述探针卡的所述探针和所述芯片上的所有的所述测试垫接触,根据需要测试的所述分立器件模块控制所述开关模块,使得需要测试的所述分立器件模块的各所述测试垫所连接的所述测试通道都导通以及将不需要测试的各所述分立器件模块的各所述测试垫所连接的所述测试通道都断开,之后对需要测试的所述分立器件模块进行测试。
2.如权利要求1所述的分立器件的晶圆测试方法,其特征在于:所述分立器件模块包括IGBT、MOSFET、二极管、电阻或温度传感器。
3.如权利要求2所述的分立器件的晶圆测试方法,其特征在于:所述IGBT包括超结IGBT。
4.如权利要求2所述的分立器件的晶圆测试方法,其特征在于:所述MOSFET包括超结MOSFET。
5.如权利要求1所述的分立器件的晶圆测试方法,其特征在于:所述开关模块通过硬件实现。
6.如权利要求5所述的分立器件的晶圆测试方法,其特征在于:所述开关模块的控制由所述测试仪发送指令实现。
7.如权利要求1所述的分立器件的晶圆测试方法,其特征在于:步骤三中,各所述分立器件模块的测试通过测试程序控制。
8.如权利要求7所述的分立器件的晶圆测试方法,其特征在于:在所述测试程序中,测试不同的功能时,采用不同功能对应的测试模块。
9.如权利要求2所述的分立器件的晶圆测试方法,其特征在于:所述IGBT的测试垫包括3个,分别为栅极、发射极和集电极对应的测试垫,所述集电极的测试垫位于所述晶圆的背面。
10.如权利要求2所述的分立器件的晶圆测试方法,其特征在于:所述MOSFET的测试垫包括3个,分别为栅极、源极和漏极对应的测试垫。
11.如权利要求2所述的分立器件的晶圆测试方法,其特征在于:所述电阻的测试垫包括2个。
12.如权利要求1所述的分立器件的晶圆测试方法,其特征在于:步骤三中,在保证所述探针卡的所述探针和所述芯片上的所有的所述测试垫接触的条件下,通过控制所述开关模块进行切换,实现对各所述分立器件模块进行依次测试。
13.如权利要求1或5所述的分立器件的晶圆测试方法,其特征在于:步骤二,测试通道由探针卡通道和测试仪通道连接而成。
14.如权利要求13所述的分立器件的晶圆测试方法,其特征在于:所述开关模块设置在所述探针卡的所述探针卡通道上。
15.如权利要求13所述的分立器件的晶圆测试方法,其特征在于:步骤二中,所述开关模块设置连接所述探针卡通道和所述测试仪通道的接口板上。
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