[发明专利]一种双层结构的隔离栅极驱动器的结构及方法有效
| 申请号: | 202111249459.1 | 申请日: | 2021-10-26 |
| 公开(公告)号: | CN113973429B | 公开(公告)日: | 2023-05-30 |
| 发明(设计)人: | 杨昊泽;付伟;吴悦;冯思雨 | 申请(专利权)人: | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号: | H05K1/11 | 分类号: | H05K1/11;H05K1/18;H05K1/14;H05K3/34;H05K3/36 |
| 代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 高博 |
| 地址: | 710065 陕西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 双层 结构 隔离 栅极 驱动器 方法 | ||
1.一种双层结构的隔离栅极驱动器的结构,其特征在于,包括双层PCB基板;
所述双层PCB基板包括接插件互联的上层基板和下层基板,在上层基板两侧的插接件位置均预留出安装SOP-8塑封器件的区域;
所述安装SOP-8塑封器件的区域分别位于上层基板两侧的中心位置;
所述下层基板在两侧接插件互联的区域以及外引线的区域设置焊盘,上层基板仅在接插件焊接的区域设置焊盘;
所述上层基板设置有一只双向数字隔离器,用以隔离驱动和隔离反馈;
所述下层基板设置有驱动器芯片,用以放大弱电信号。
2.根据权利要求1所述一种双层结构的隔离栅极驱动器的结构,其特征在于,所述上层基板和下层基板尺寸不大于18.05mm×8.30mm。
3.根据权利要求1所述一种双层结构的隔离栅极驱动器的结构,其特征在于,所述隔离栅极驱动器模块尺寸不大于20.0mm×10.0mm。
4.根据权利要求1所述一种双层结构的隔离栅极驱动器的结构,其特征在于,所述上层基板的上侧还设置有磁环,上层基板的下侧对应磁环的位置为净空区域。
5.根据权利要求1所述一种双层结构的隔离栅极驱动器的结构,其特征在于,所述双向数字隔离器具有两路输出且输出方向相反。
6.根据权利要求5所述一种双层结构的隔离栅极驱动器的结构,其特征在于,所述双向数字隔离器次级输入端与隔离电源之间设置有一只电阻,次级输入端依次连接有二极管的阴极、阳极,VDMOS管漏极、源极至地电极。
7.根据权利要求6所述一种双层结构的隔离栅极驱动器的结构,其特征在于,所述双向数字隔离器开关开启时源极漏极接通,次级输入端电压为0.7V,隔离反馈输出端输出为低;
开关关断时源极漏极断开,次级输入电压为隔离电源的电压,隔离反馈输出端输出为高电平。
8.根据权利要求1所述一种双层结构的隔离栅极驱动器的结构,其特征在于,所述隔离栅极驱动器模块的电路引脚间距不小于电路内部使用所有器件的尺寸。
9.一种双层结构的隔离栅极驱动器的方法,其特征在于,基于权利要求1-8任意一项所述双层结构的隔离栅极驱动器的结构,包括以下步骤,
步骤一,对塑封器件排潮,并采用再流焊焊接在上层基板和下层基板上;
步骤二,接插件和管壳内引线搪锡去金,采用手工焊接在下层基板上;
步骤三,上层基板和下层基板均利用基板上的焊盘手工焊接在引线上,实现互联。
10.根据权利要求9所述的一种双层结构的隔离栅极驱动器的方法,其特征在于,所述步骤一、步骤二和步骤三结束后,均设置有检验环节,所述检验环节包括:在步骤一和步骤二结束后,针对上层基板和下层基板的外观、粘接可靠性、焊接可靠性进行评估,并利用剪切试验评估元器件结合的机密程度;在步骤三结束后,进行接插件焊接的检验;最后,在电路的封装结束后,利用检漏实验对整个模块的密封性进行评估。
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