[发明专利]芯片封装结构在审
| 申请号: | 202111249288.2 | 申请日: | 2021-10-26 |
| 公开(公告)号: | CN113990807A | 公开(公告)日: | 2022-01-28 |
| 发明(设计)人: | 徐齐;王超;锁志勇;仝金雨 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L23/00 | 分类号: | H01L23/00;H01L25/18 |
| 代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 王晓玲 |
| 地址: | 430074 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 芯片 封装 结构 | ||
1.一种芯片封装结构,其特征在于,包括:
封装基板,所述封装基板的第一表面电连接有驱动芯片;
应力分散层,设置于所述第一表面上并位于所述驱动芯片的外周,且在垂直于所述第一表面的方向上,所述应力分散层的厚度大于或等于所述驱动芯片的厚度;
应力缓冲层,覆盖所述应力分散层并包裹所述驱动芯片;
半导体芯片组,设置于所述应力缓冲层上并与所述第一表面电连接。
2.根据权利要求1所述的芯片封装结构,其特征在于,所述驱动芯片与所述应力分散层之间杨氏模量的差值为Y1,所述驱动芯片与所述应力缓冲层之间杨氏模量的差值为Y2,Y1<Y2。
3.根据权利要求2所述的芯片封装结构,其特征在于,形成所述应力分散层的材料包括二氧化硅和/或硅。
4.根据权利要求2所述的芯片封装结构,其特征在于,形成所述应力缓冲层的材料包括环氧树脂和/或二氧化硅复合物。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的芯片封装结构,其特征在于,所述应力分散层包括多个子分散部,各所述子分散部位于所述驱动芯片的至少一侧,且相邻所述子分散部连接并环绕所述应力分散层。
6.根据权利要求5所述的芯片封装结构,其特征在于,各所述子分散部分别位于所述驱动芯片的不同侧,且位于相对侧的所述子分散部在所述第一表面上的投影面积相等。
7.根据权利要求5所述的芯片封装结构,其特征在于,所述应力分散层包括第一子分散部和第二子分散部,所述第一子分散部的两端与所述第二子分散部的两端一一对应连接,且所述第一子分散部和所述第二子分散部在所述第一表面上的投影面积相等。
8.根据权利要求7所述的芯片封装结构,其特征在于,所述第一子分散部和所述第二子分散部为U型结构或L型结构。
9.根据权利要求1至4中任一项所述的芯片封装结构,其特征在于,所述半导体芯片组包括沿远离所述应力缓冲层的方向顺序层叠设置的多个半导体芯片,在远离所述应力缓冲层的方向上的第一个所述半导体芯片在所述第一表面的投影面积为S1,所述应力缓冲层在所述第一表面的投影面积为S2,S1≤S2。
10.根据权利要求1至4中任一项所述的芯片封装结构,其特征在于,所述芯片封装结构还包括:
封装壳体,安装在所述封装基板上,所述半导体芯片组封装在所述封装壳体内部。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司,未经长江存储科技有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111249288.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





