[发明专利]C类功放输出电容影响的氮化镓Doherty功放芯片在审
| 申请号: | 202111245723.4 | 申请日: | 2021-10-26 |
| 公开(公告)号: | CN113949348A | 公开(公告)日: | 2022-01-18 |
| 发明(设计)人: | 朱晓维;刘睿佳 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
| 主分类号: | H03F1/02 | 分类号: | H03F1/02;H03F1/42;H03F3/213 |
| 代理公司: | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 沈廉 |
| 地址: | 211189 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 功放 输出 电容 影响 氮化 doherty 芯片 | ||
1.一种C类功放输出电容影响的氮化镓Doherty功放芯片,其特征在于,该功放芯片包括宽带输入功分器(1)、移相网络(2)、载波放大电路(9)和峰值放大电路(10);宽带输入功分器(1)的输入端与射频信号输入端(RFIN)连接;宽带输入功分器(1)的第一输出端(Zout1)连接到移相网络(2)的输入端,第二输出端(Zout2)连接到峰值放大电路(10)的输入端;移相网络(2)的输出端连接到载波放大电路(9)的输入端;载波放大电路(9)的输出端和峰值放大电路(10)的输出端共同连接到射频信号输出端(RFOUT);
其中,载波放大电路(9)由第一输入匹配网络(3)、工作于AB类状态的载波放大器(5)和第一输出匹配网络(7)依次级联而成,其中第一输入匹配网络(3)另一端与第一外部供电端(Vgc)电路连接,第一输出匹配网络(7)另一端与第二外部供电端(Vdc)电路连接;峰值放大电路(10)由第二输入匹配网络(4)、工作于C类状态的峰值放大器(6)和第二输出匹配网络(8)依次级联而成,其中第二输入匹配网络(4)另一端与第三外部供电端(Vgp)电路连接,第二输出匹配网络(8)另一端与第四外部供电端(Vdp)电路连接。
2.如权利要求1所述的C类功放输出电容影响的氮化镓Doherty功放芯片,其特征在于,所述第二输出匹配网络(8)由并联漏极馈电电感(LP1)、串联匹配电感(LP2)、并联匹配电容(CP1)以及串联隔直电容(CP2)依次级联而成。
3.如权利要求2所述的C类功放输出电容影响的氮化镓Doherty功放芯片,其特征在于,所述并联漏极馈电电感(LP1)的电感值LP1由以下公式确定:
其中,ω0是Doherty功放芯片工作频段的中心频率处的角频率,COUT是工作于C类状态的峰值放大器(6)在工作频段中心频率处偏置于C类状态下的输出电容。
4.如权利要求1所述的C类功放输出电容影响的氮化镓Doherty功放芯片,其特征在于,所述第一输入匹配网络(3)和所述第二输入匹配网络(4)拓扑结构相同。
5.如权利要求1所述的C类功放输出电容影响的氮化镓Doherty功放芯片,其特征在于,所述宽带输入功分器(1)、移相网络(2)、第一输入匹配网络(3)、第二输入匹配网络(4)、第一输出匹配网络(7)、第二输出匹配网络(8)中的元件均为集总元件。
6.如权利要求1所述的C类功放输出电容影响的氮化镓Doherty功放芯片,其特征在于,所述工作于AB类状态的载波放大器(5)为高电子迁移率晶体管。
7.如权利要求1所述的C类功放输出电容影响的氮化镓Doherty功放芯片,其特征在于,所述工作于C类状态的峰值放大器(6)为高电子迁移率晶体管。
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