[发明专利]一种Split-Gate MOSFET器件制备方法

权利要求书

1.一种Split-Gate MOSFET器件制备方法，其特征在于，包括：

在第一沟槽内和第二沟槽内依次形成liner Oxide层和source poly层；其中，第一沟槽位于第一导电外延层内的terminal区域，第二沟槽位于第一导电外延层内的cell区域，第一导电外延层上设置包括有第一Oxide层、Nitride层和第二Oxide层的硬掩膜板；

在所述第一沟槽的顶部表面及两侧形成gate Oxide层，以使所述gate Oxide层完全覆盖所述第一沟槽内的所述source poly层和所述liner Oxide层；

在所述第一沟槽的两侧形成第二光刻胶层，通过刻蚀方法依次对所述第二沟槽内的所述source poly层进行刻蚀，将所述硬掩膜板包括的所述第二Oxide层去掉，对所述第二沟槽内的所述liner Oxide层进行刻蚀；

通过刻蚀方法对位于所述第一沟槽内和第二沟槽内的所述source poly层进行刻蚀；并在所述第二沟槽内的所述source poly层上依次形成gate Oxide层、gate poly层；

通过两次离子注入，在位于所述第一导电外延层内形成第二导电类型体区和第一导电类型源区；在所述第一导电外延层上方形成隔离氧化层，并在所述隔离氧化层上制备接触孔。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在第一沟槽内和第二沟槽内依次形成liner Oxide层和source poly层，具体包括：

在所述第一沟槽的底部、侧壁和所述第二沟槽的底部、侧壁形成liner Oxide层；其中，所述liner Oxide层的上表面低于所述硬掩膜板的上表面；

在所述第一沟槽内、所述第二沟槽内以及所述硬掩膜板上形成source poly层；

通过刻蚀方法将位于所述硬掩膜板上的所述source poly层去掉，以使位于所述第一沟槽内的所述source poly层、所述第二沟槽内的所述source poly层的上表面与所述硬掩膜板的上表面具有相同高度。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述通过刻蚀方法对所述第二沟槽内的所述source poly层进行刻蚀具体包括：

通过刻蚀方法对所述第二沟槽内的所述source poly层进行刻蚀，以使位于所述第二沟槽内的所述source poly层的上表面低于位于所述第二沟槽内的liner Oxide层的上表面。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述将所述硬掩膜板包括的所述第二Oxide层去掉，对所述第二沟槽内的所述liner Oxide层进行刻蚀具体包括：

通过刻蚀方法将所述硬掩膜板包括的所述第二Oxide层去掉，对所述第二沟槽内的所述liner Oxide层进行刻蚀，以使位于所述第二沟槽内的所述liner Oxide层的上表面低于所述source poly层的上表面。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，通过刻蚀方法对位于所述第一沟槽内和第二沟槽内的所述source poly层进行刻蚀，具体包括：

通过刻蚀方法对所述第一沟槽顶部的所述source poly层进行刻蚀，以使位于所述第一沟槽内的所述source poly层的上表面与所述第一导电外延层的上表面具有相同高度；

通过刻蚀方法对所述第二沟槽内的所述source poly层进行刻蚀，以使位于所述第二沟槽内的所述source poly层的上表面低于所述liner Oxide层的上表面。