[发明专利]阵列基板及其制备方法和显示面板有效
| 申请号: | 202111243065.5 | 申请日: | 2021-10-25 |
| 公开(公告)号: | CN114023766B | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
| 发明(设计)人: | 罗传宝 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 黄舒悦 |
| 地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
衬底,所述衬底包括相邻设置的像素区和非像素区;和
触控单元,所述触控单元设置于所述衬底上,所述触控单元位于所述非像素区,所述触控单元包括:
触控晶体管,所述触控晶体管设置于所述衬底上,所述触控晶体管包括第一栅极;
压感层,所述压感层设置于所述第一栅极上;
第一触控电极,所述第一触控电极设置于所述压感层上;
所述第一栅极、所述压感层和所述第一触控电极构成触控电容,所述触控电容在所述衬底上的正投影位于所述触控晶体管在所述衬底上的正投影内。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括与所述触控晶体管串联设置的读取晶体管。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述触控晶体管在所述衬底上的正投影与所述读取晶体管在所述衬底上的正投影错开。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述触控晶体管还包括第一有源部、第一源极、第一漏极、第二栅极、缓冲层和第一栅极绝缘部,所述读取晶体管包括第二源极、第二栅极绝缘部和第三栅极;
所述第一源极、所述第二栅极、所述第一漏极和所述第二源极同层设置于所述衬底上,且间隔设置;所述第二栅极位于所述第一源极与所述第一漏极之间,所述第一漏极位于所述第二栅极与所述第二源极之间;
所述缓冲层覆盖所述衬底、所述第一源极、所述第二栅极、所述第一漏极和所述第二源极;
所述第一有源部设置于所述缓冲层上,且与所述第一源极、所述第一漏极以及所述第二源极连接;
所述第一栅极绝缘部设置于所述第一有源部上,且所述第一栅极绝缘部位于所述第二栅极之上;所述第二栅极绝缘部设置于所述第一有源部上,且位于所述第一漏极与所述第二源极之间的所述第一有源部上,所述第一栅极绝缘部与所述第二栅极绝缘部间隔设置;
所述第一栅极设置于所述第一栅极绝缘部上,所述第三栅极设置于所述第二栅极绝缘部上。
5.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述触控晶体管还包括第一有源部、第二栅极、第一源极、第一漏极、钝化层、缓冲层和第一栅极绝缘部,所述读取晶体管包括第二源极、第二有源部、第二栅极绝缘部和第三栅极;
第二栅极设置于所述衬底上;
所述缓冲层覆盖所述衬底以及所述第二栅极;
所述第一有源部和所述第二有源部同层设置于所述缓冲层上,且间隔设置,所述第一有源部位于所述第二栅极之上;
所述第一栅极绝缘部设置于所述第一有源部上,所述第二栅极绝缘部设置于所述第二有源部上;
所述第一栅极设置于所述第一栅极绝缘部上,所述第三栅极设置于所述第二栅极绝缘部上;
所述钝化层覆盖所述缓冲层、所述第一有源部、第二有源部、第一栅极绝缘部、第二栅极绝缘部、所述第一栅极和所述第三栅极;
所述第一源极、所述第一漏极和所述第二源极同层设置于所述钝化层上,且间隔设置于所述钝化层上,所述第一源极与所述第一有源部的一侧连接,所述第一漏极与所述第一有源部的另一侧以及所述第二有源部的一侧连接,所述第二源极与所述第二有源部的另一侧连接。
6.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述触控晶体管在所述衬底上的正投影与所述读取晶体管在所述衬底上的正投影重叠。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述触控晶体管还包括第一有源部和与所述第一有源部连接的第一漏极,所述读取晶体管包括第二有源部和第二漏极,所述第二漏极与所述第二有源部以及所述第一漏极连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





