[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

说明书

本发明公开了一种阵列基板及其制造方法，包括Array侧基板玻璃，Array侧基板玻璃上依次设有MetalⅠ金属层、栅极绝缘层、有缘层、刻蚀阻挡层、MetalⅡ金属层，MetalⅡ金属层上沉积有第一保护层ITO，第一保护层ITO上依次设有绝缘层Ⅰ、有机平坦层、MetalⅢ触控金属层，有机平坦层以及MetalⅢ触控金属层沉积有第二保护层ITO，第二保护层ITO上依次设有带有VA孔的绝缘层Ⅱ、公共电极层ITO、带有CH孔的绝缘层Ⅲ以及像素电极层ITO，公共电极层ITO通过VA孔与MetalⅢ触控金属层搭接，像素电极层ITO通过CH孔与MetalⅡ金属层搭接。本发明在现有的阵列基板设计基础之上，在MetalⅡ金属层和MetalⅢ触控金属层表面形成一道ITO，既可作为下层金属的保护层，又不影响像素电极与金属层的正常搭接。

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制造方法。

背景技术

目前市场主流的TFT-LCD设计以Mid-com In cell技术为主，这种设计方案仅需十道光罩就可以完成阵列制程，通过将触摸面板功能嵌入到液晶像素中，使屏幕变得更加轻薄化。但是目前为止，这种触控屏技术的门槛仍然相当高，在实际量产过程中发现，膜层的增加也意味着制程风险的提高，从而影响到产品良率的高低表现。

如图1所示，现有的TFT阵列基板的Metal Ⅰ金属层2、Metal Ⅱ金属层6和Metal Ⅲ触控金属层10多以复合结构的堆叠膜层为主，如Mo/Al/Mo或Ti/Al/Ti等，中间的Al作为金属线的实际导电层，两侧的Mo或Ti主要为Buffer层，起到保护中间Al不被氧化、腐蚀和降低接触电阻等作用，并且Buffer层还对提高金属层与无机层的界面接触特性有一定作用。已知的无机绝缘层11主要以SiOx和SiNx为主，为了给像素充电，往往会在金属层上方的无机层进行开孔便于ITO与金属的搭接。通常来说，无机层的刻蚀多为干蚀刻方式，SiOx和SiNx分别用的是CF4、SF6、O2、Cl2等混合气体蚀刻，通常刻蚀的气体对下方的金属表面刻蚀作用并不大，但是干蚀刻是一种兼具物理性和化学性蚀刻的技术，实际上仍然会对下方金属表面造成损伤，损伤程度轻微一些则表现出为Mo或Ti表面粗糙化和出现倒刺，损伤程度严重一些则表现出为Buffer层Mo/Ti及部分Al被蚀刻掉，增加了ITO与金属层之间的搭接电阻，并且大板存在阻抗不均性，影响Com电极与像素电极之间的充电效率，从而造成画面显示不均和不良。

如图1所示，现有技术的TFT阵列基板的制造工艺可以通过以下九次光罩完成，步骤如下：

第一步，在Array侧基板玻璃1上溅射Metal Ⅰ金属层2，通过第一次光罩形成第一金属层图形，随后在第一金属层图形上沉淀栅极绝缘层3；

第二步，在栅极绝缘层3上沉淀有缘层4以及刻蚀阻挡层5，经过第二次光罩形成第一绝缘层图形；

第三步，在第一绝缘层图形上溅射Metal Ⅱ金属层6，通过第三次光罩形成第二金属层图形，随后在第二金属层图形上沉淀绝缘层Ⅰ8；

第四步，在绝缘层Ⅰ8上沉淀有机平坦层9，经过第四次光罩形成第二绝缘层图形；

第五步，在第二绝缘层图形上溅射Metal Ⅲ触控金属层10，通过第五次光罩形成第三金属层图形，随后在第三金属层图形上沉淀绝缘层Ⅱ11；

第六步，在绝缘层Ⅱ11上通过第六次光罩形成VA孔；

第七步，在绝缘层Ⅱ11上溅射公共电极层ITO12，通过第七次光罩形成导电层图形，随后在导电层图形上沉淀绝缘层Ⅲ13；

第八步，在绝缘层Ⅲ13上通过第八次光罩形成CH孔；

第九步，在绝缘层Ⅲ13上溅射像素电极层ITO14，通过第九次光罩形成氧化物导导电层图形。

传统TFT阵列基板的制造工艺通过九次光罩制造完成，会因干刻蚀而造成无机层下面金属表面出现过刻的问题，使得Metal Ⅱ金属层6出现被过刻的现象，而Metal Ⅲ触控金属层10也出现过刻的现象。