[发明专利]一种预埋式半导体封装方法

权利要求书

1.一种预埋式半导体封装方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、将待封装芯片的正面贴装于载板上，从而形成贴装有芯片的贴装区以及环绕贴装区的空白区；

S2、将闭合结构的模框覆盖至空白区并与贴装区相对应，且模框与贴装区之间留设有镂空区域；

S3、模框上设置有多个均匀分布的注料口，将塑封料通过注料口均匀注入至镂空区域内，同时通过每个注料口的塑封料内均掺加有一个预埋球；

S4、在塑封料注入深度超过预埋球的直径后暂停注料，在模框上方施加磁场，触发预埋球的多点膨胀动作来促使塑封料充填密实；

S5、继续分层注入塑封料直至填满镂空区域，待塑封料固化后形成包封体剥离模框即完成封装。

2.根据权利要求1所述的一种预埋式半导体封装方法，其特征在于：所述待封装芯片的数量为多个，并采用整体封装或者单独封装的方式。

3.根据权利要求1所述的一种预埋式半导体封装方法，其特征在于：所述预埋球的平均密度与塑封料的密度保持相近，且预埋球的直径小于镂空区域的高度。

4.根据权利要求1所述的一种预埋式半导体封装方法，其特征在于：所述塑封料包括以下重量份数计的原料：18-20％环氧树脂、9-12％的硬化剂、0.1-1％的蜡、5-6％的应力释放剂、1-1.5％的阻燃剂、以及0.2-0.4％的着色剂，余量为硅微粉。

5.根据权利要求1所述的一种预埋式半导体封装方法，其特征在于：所述预埋球包括多片交错分布的临时隔片(1)和永久膜片(2)，且临时隔片(1)和永久膜片(2)相互连接构成一个中空球状结构，所述中空球状结构内侧设有同心的内芯球(4)，且内芯球(4)通过连接杆与临时隔片(1)之间固定连接，所述内芯球(4)下侧设有多个磁性微球(5)，所述临时隔片(1)下端固定连接有悬挂压片(3)，且悬挂压片(3)远离临时隔片(1)一端与内芯球(4)相抵触，所述中空球状结构内还填充有经过压缩的有色气体。

6.根据权利要求5所述的一种预埋式半导体封装方法，其特征在于：所述临时隔片(1)采用硬质脆性材料制成，所述永久膜片(2)采用弹性材料制成。

7.根据权利要求5所述的一种预埋式半导体封装方法，其特征在于：所述内芯球(4)包括重下半球(41)、轻上半球(42)以及防回落套(43)，所述重下半球(41)和轻上半球(42)连接并构成一个实心球状结构，且重下半球(41)固定连接于轻上半球(42)下侧，所述重下半球(41)和轻上半球(42)上开设有对称分布的迁移孔，且迁移孔外侧开口处呈扩张的趋势，所述防回落套(43)固定连接于重下半球(41)上的迁移孔外侧开口处，且防回落套(43)外侧开口处呈收缩的趋势。

8.根据权利要求7所述的一种预埋式半导体封装方法，其特征在于：所述重下半球(41)和轻上半球(42)均采用硬质材料制成，且重下半球(41)的密度大于轻上半球(42)，所述防回落套(43)采用弹性材料制成。

9.根据权利要求5所述的一种预埋式半导体封装方法，其特征在于：所述悬挂压片(3)包括外压片(31)、环缝套(32)以及相变压杆(33)，所述外压片(31)与临时隔片(1)之间固定连接并延伸至下一个临时隔片(1)下端，所述环缝套(32)固定连接于外压片(31)外边缘与临时隔片(1)和永久膜片(2)之间，所述相变压杆(33)固定连接于外压片(31)和临时隔片(1)之间。

10.根据权利要求9所述的一种预埋式半导体封装方法，其特征在于：所述外压片(31)和环缝套(32)均采用高弹性材料制成，且弹性优于永久膜片(2)，所述相变压杆(33)采用弹性薄膜制成中空尖锥状结构，且尖端朝向临时隔片(1)，所述相变压杆(33)内填充有热熔性材料，且热熔性材料的固化强度高于临时隔片(1)。