[发明专利]一种适用于MEMS模态局部化传感器的环状耦合系统

权利要求书

1.一种适用于MEMS模态局部化传感器的环状耦合系统，其特征在于，主要包括：环状耦合梁203，耦合刚度调节电极205、206；

所述环状耦合梁具有中心对称的特性；所述环状耦合梁203通过连接两个谐振梁201、202实现机械耦合；谐振梁201、202经由中央固定锚点204固定连接并呈中心对称分布；所述环状耦合梁203的中心对称点与谐振梁201、202呈中心对称分布的中心对称点重合，并与谐振梁201、谐振梁202直接相交为一整体结构；将谐振梁201与固定锚点204、环状耦合梁203内径的相交点分别定义为A0，A1，将谐振梁202与固定锚点204、环状耦合梁203内径的相交点分别定义为B0，B1；将所述点A0，A1之间的距离定义为R1，将所述点B0，B1之间的距离定义为R2；所述距离R1、R2应满足关系R1＝R2＜10*d，。

所述耦合刚度调节电极205、206与环状耦合梁203共同构成耦合调节电容207、208；通过改变耦合刚度调节电极205、206的电势形成与环状耦合梁203的电势差，从而产生静电力改变环状耦合梁203内的应力分布，从而实现其耦合刚度的调节。

2.一种如权利要求1所述的适用于MEMS模态局部化传感器的环状耦合系统，其特征在于，所述环状耦合梁203的具体结构是圆环、正方环、矩环或者其他环状封闭结构；所述环状耦合梁的环宽w可以为等宽，也可以为不等宽，其具体宽度的设定不应影响对其“环状”特征的判定，但在工程实践中，所述环状耦合梁的环宽w应满足：500nm＜w＜10*d，其中d为谐振梁201、202的宽度；使得其同时满足加工工艺的限制并保证一定的耦合效果。

3.一种如权利要求1所述的适用于MEMS模态局部化传感器的环状耦合系统，其特征在于，所述耦合调节电极205、206与环状耦合梁203之间的电势差不超过150V。