[发明专利]一种根据内存数量控制输出电压的方法和装置

说明书

本发明提供一种根据内存数量控制输出电压的方法、系统、设备和存储介质，方法包括：获取内存在位信号，并根据所述内存在位信号确定当前在位的内存数量；根据所述当前在位的内存数量确定对应的基准电流，并根据所述基准电流和基准电阻确定压降；根据所述压降和基准电压确定输出电压，并判断当前输出电压是否等于所述输出电压；以及响应于当前输出电压不等于所述输出电压，将所述当前输出电压调整为所述输出电压。本发明通过当前在位的内存数量调整对应的输出电压，在兼顾对内存组件进行保护的基础上，提升了电源安全性。

技术领域

本发明涉及服务器领域，更具体地，特别是指一种根据内存数量控制输出电压的方法、系统、设备和存储介质。

背景技术

一般服务器主流都是以Intel platform（英特尔平台）为主，所以针对内存的电源设计大致上都会采用Intel规范的负载（Loadline）去控制电源架构。而Loadline是一种控制大电流使输出电压降低，避免Voltage overshoot（过电压）的一种方法。当电流越大时，其输出电压越低，进而达到降低Voltage overshoot的目的。

但是通常Loadline这种控制架构需要将输出电压的水平调高，避免因Loadline的存在而造成输出电压偏低，但是如果支持少数内存的情况下，反而会使输出电压过高，容易在小电流轻负载时发生输出电压过大的情况。

例如，当8根DDR（Double Data Rate，内存）存在时：15W x 8 pcs / 1.2V=120W /1.2 =100A，而Intel规定Loadline为0.25m ohm，通过公式换算得到100A * 0.25m ohm =25mV的压降，让标准的1.2V之输出电压降低至1.175V。所以业界通常会调整输出电压至1.2V+25mV= 1.225V来避免输出电压过低。但是输出电压调整到1.225V时，却在支持1根DDR存在时，产生另外一个问题：15W x 1pcs / 1.2V = 12.5A，通过公式得到：12.5A * 0.25mohm = 3.125mV的压降，因为初始为了支持8根内存设定输出电压为1.225V，导致即使扣掉3.125mV后之输出电压仍为1.221875V，高于原本需要的1.2V，离内存规范最高电压1.26V很接近，容易产生过电压进而导致系统断电，甚至导致内存故障烧毁。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例的目的在于提出一种根据内存数量控制输出电压的方法、系统、计算机设备及计算机可读存储介质，本发明通过检测电路架构可以在S3（睡眠状态）时，有效的确定DDR的数量并通过电阻让VR controller更新输出电压的水平，达到进入S0（工作状态）之前完成设定值更新的目的，有效减少了过电压的情况，在兼顾对内存组件进行保护的基础上，提升了电源安全性。

基于上述目的，本发明实施例的一方面提供了一种根据内存数量控制输出电压的方法，包括如下步骤：获取内存在位信号，并根据所述内存在位信号确定当前在位的内存数量；根据所述当前在位的内存数量确定对应的基准电流，并根据所述基准电流和基准电阻确定压降；根据所述压降和基准电压确定输出电压，并判断当前输出电压是否等于所述输出电压；以及响应于当前输出电压不等于所述输出电压，将所述当前输出电压调整为所述输出电压。

在一些实施方式中，所述根据所述内存在位信号确定当前在位的内存数量包括：响应于所述内存在位信号为高电平，确定所述内存在位；以及响应于所述内存在位信号为低电平，对所述内存进行异步复位。

在一些实施方式中，所述根据所述当前在位的内存数量确定对应的基准电流包括：将所述当前在位的内存数量与基准负载的乘积与所述基准电压的比值作为基准电流。

在一些实施方式中，所述根据所述基准电流和基准电阻确定压降包括：将所述基准电流和所述基准电阻相乘以确定压降。

在一些实施方式中，所述根据所述压降和基准电压确定输出电压包括：将所述压降所述基准电压相加以确定所述输出电压。