[发明专利]可实现光学定向隐身的PD光子晶体结构在审
| 申请号： | 202111230045.4 | 申请日： | 2021-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN113934074A | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | 鲁屹华 | 申请（专利权）人： | 湖北科技学院 |
| 主分类号： | G02F1/35 | 分类号： | G02F1/35;G02F1/355 |
| 代理公司： | 咸宁鸿信专利代理事务所(普通合伙) 42249 | 代理人： | 刘喜 |
| 地址： | 437100 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 实现 光学 定向 隐身 pd 光子 晶体结构 | ||
1.一种可实现光学定向隐身的PD光子晶体结构，其特征在于，包括两个序列序号N＝3的PD光子晶体，该结构整体上关于中心呈宇称-时间(Parity-time：PT)对称分布，所述PT对称PD光子晶体可以表示成：HLHHHLHLL'H'L'H'H'H'L'H'，其中H和H'表示具有高折射率的第一电介质层，L和L'表示具有低折射率的第二电介质层；
位于PT对称PD光子晶体结构对称中心一侧的第一电介质层称之为第一损耗电介质层，通光状态下的折射率表示为nh；位于PT对称PD光子晶体结构对称中心另一侧的第一电介质层称之为第一增益电介质层，通光状态下的折射率表示为nh'；与第一增益电介质层同侧的第二电介质层称之为第二增益电介质层，通光状态下的折射率表示为nl；与第一损耗电介质层同侧的第二电介质层称之为第二损耗电介质层，通光状态下的折射率表示为nl'；
nh＝nH+0.01qi，nh'＝nH-0.01qi，nl＝nL-0.01qi，nl'＝nH+0.01qi，其中i为虚数单位，q为增益-损耗因子，nH为第一电介质层折射率的实部，nL为第二电介质层折射率的实部；第一电介质层和第二电介质层的厚度均为各自折射率对应的1/4光学波长；
当某波长值的入射光通过PT对称PD光子晶体结构反射后的反射光强为零时，实现该波长值的入射光的单向隐身；改变增益-损耗因子实现对可隐身入射光的波长的调整。
2.根据权利要求1所述一种可实现光学定向隐身的PD光子晶体结构，其特征在于，所述第一电介质层的基质材料为二氧化硅，所述第二电介质层的基质材料为硅。
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