[发明专利]STI结构的制备方法在审
| 申请号： | 202111226451.3 | 申请日： | 2021-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN114038791A | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 贡祎琪 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sti 结构 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种STI结构的制备方法，其特征在于，包括：
在硬掩模层上形成O3型氧化层，所述硬掩模层形成于第一氧化层上，所述第一氧化层形成于衬底上；
在所述O3型氧化层、所述硬掩模层和所述衬底中形成沟槽；
形成第二氧化层，所述第二氧化层覆盖所述沟槽表面；
形成第三氧化层，所述第三氧化层填充所述沟槽；
通过CMP工艺进行平坦化，使所述沟槽外的硬掩模层暴露。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩模层包括氮化硅层。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述硬掩模层的厚度为300埃至800埃。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在硬掩模层上形成O3型氧化层，包括：
通过CVD工艺在所述硬掩模层上沉积形成所述O3型氧化层，在所述沉积过程中通入的反应气体包括臭氧。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述沉积过程中，臭氧的流量为15000SCCM至35000SCCM。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述O3型氧化层的厚度为10埃至100埃。
7.根据权利要求1至6任一所述的方法，其特征在于，所述形成第二氧化层，包括：
通过ISSG工艺形成所述第二氧化层。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述形成第三氧化层，包括：
通过HARP CVD工艺沉积二氧化硅形成所述第三氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
