[发明专利]电源生成电路及显示装置在审

专利信息
申请号: 202111223152.4 申请日: 2021-10-20
公开(公告)号: CN113824315A 公开(公告)日: 2021-12-21
发明(设计)人: 李杰 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;南京京东方显示技术有限公司
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07;G09G3/32;G09G3/3208;G09G3/36
代理公司: 北京众达德权知识产权代理有限公司 11570 代理人: 查薇
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 电源 生成 电路 显示装置
【权利要求书】:

1.一种电源生成电路,其特征在于,包括:

升压子电路和电荷泵子电路;

所述升压子电路的输入端连接直流电源,所述升压子电路的输出端连接所述电荷泵子电路的输入端,以将所述直流电源提供的初始电压升压为中间电压,并提供所述中间电压至所述电荷泵子电路;

所述电荷泵子电路的输出端连接需供电电路,以对所述中间电压进行整数倍升压后,从所述输出端输出工作电压给所述需供电电路。

2.如权利要求1所述的电路,其特征在于,所述升压子电路包括:

升压控制电路、第一电感、第一晶体管和第二晶体管;

所述第一晶体管和所述第二晶体管串联于所述升压子电路的输出端与地端之间;

所述第一电感的一端连接所述直流电源,另一端连接所述第一晶体管和所述第二晶体管的串联连接节点;

所述升压控制电路与所述第一晶体管和所述第二晶体管的栅极均连接,通过控制晶体管的开关来控制所述第一电感的充放电,以对所述初始电压升压。

3.如权利要求1所述的电路,其特征在于:

所述电荷泵子电路包括第一基准端,所述电荷泵子电路的输出端包括第一输出端;

所述第一输出端输出的第一工作电压为第一基准电压与第一升压电压的和值,所述第一基准电压为所述第一基准端接收的电压,所述第一升压电压为所述电荷泵子电路对所述中间电压进行整数倍升压后的电压。

4.如权利要求3所述的电路,其特征在于,所述电荷泵子电路包括:

电荷泵控制电路和N组正耦合电容电路,N为正整数;

每组所述正耦合电容电路包括:正耦合电容和两个MOS管;所述两个MOS管串联;所述正耦合电容的一端连接所述升压子电路的输出端,另一端连接所述两个MOS管的串联连接节点;

所述N组正耦合电容电路串联于所述第一输出端和所述第一基准端之间,串联方式为相连两组正耦合电容电路中的MOS管串联;

所述电荷泵控制电路与所述N组正耦合电容电路中的各MOS管的栅极均连接,以控制对所述中间电压进行N倍升压。

5.如权利要求3所述的电路,其特征在于:

所述电荷泵子电路还包括第二基准端,所述电荷泵子电路的输出端还包括第二输出端;

所述第二输出端输出的第二工作电压为第二基准电压减去第二升压电压的查值,所述第二基准电压为所述第二基准端接收的电压,所述第二升压电压为所述电荷泵子电路与对所述中间电压进行整数倍升压后的电压。

6.如权利要求5所述的电路,其特征在于,所述电荷泵子电路还包括:

M组负耦合电容电路,M为正整数;

每组所述负耦合电容电路包括:负耦合电容和两个MOS管;所述两个MOS管串联;所述负耦合电容的一端连接所述升压子电路的输出端,另一端连接所述两个MOS管的串联连接节点;

所述M组负耦合电容电路串联于所述第二输出端和所述第二基准端之间,串联方式为相连两组负耦合电容电路中的MOS管串联;

所述电荷泵控制电路与所述M组正耦合电容电路中的各MOS管的栅极均连接,以控制对所述中间电压进行M倍升压。

7.如权利要求3或5所述的电路,其特征在于,还包括:

降压子电路,所述降压子电路的输入端连接直流电源,所述降压子电路的输出端连接所述第一基准端,以将所述直流电源提供的初始电压降压为所述第一基准电压,并提供所述第一基准电压至所述电荷泵电路。

8.如权利要求7所述的电路,其特征在于,所述降压子电路包括:

降压控制电路、第二电感、第三晶体管和第四晶体管;

所述第三晶体管和所述第四晶体管串联于直流电源与地端之间;

所述第二电感的一端连接所述降压子电路的输出端,另一端连接所述第三晶体管和所述第四晶体管的串联连接节点;

所述降压控制电路与所述第三晶体管和所述第四晶体管的栅极均连接,通过控制晶体管的开关来控制所述第二电感的充放电,以对所述初始电压降压。

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