[发明专利]磁通串扰的标定方法、装置、计算机设备和存储介质

权利要求书

1.一种磁通串扰的标定方法，其特征在于，所述方法包括：

对量子比特芯片进行N组初次频率测试，得到N个频率集合，每个频率集合中包括N个量子比特的测量频率；其中，所述初次频率测试包括向第一量子比特输入第一磁通量，向第二量子比特输入第二磁通量，并获取所述量子比特芯片上每一量子比特的测量频率；所述第一量子比特为所述量子比特芯片上的任一量子比特，并遍历所述量子比特芯片上的每一量子比特，所述第二量子比特为所述量子比特芯片上除过所述第一量子比特的其余量子比特，N为所述量子比特芯片上量子比特的数量；

根据所述第一磁通量、所述第二磁通量、所述每一量子比特的测量频率以及目标函数确定第一磁通串扰强度和第二磁通串扰强度；其中，所述目标函数用于表征所述量子比特的输入磁通量、所述量子比特之间的磁通串扰强度以及所述量子比特的计算频率之间的函数关系；所述第一磁通串扰强度为所述量子比特芯片上两两量子比特之间的磁通串扰强度所构成的磁通串扰矩阵中的对角元；所述第二磁通串扰强度为所述磁通串扰矩阵中的非对角元。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

根据所述量子比特芯片上量子比特实际受到的磁通量与所述量子比特的计算频率之间的第一函数关系，以及所述量子比特的输入磁通量与所述量子比特实际受到的磁通量之间的第二函数关系，确定所述目标函数。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一磁通量、所述第二磁通量、所述每一量子比特的测量频率以目标函数确定第一磁通串扰强度和第二磁通串扰强度，包括：

将所述第一磁通量和所述第二磁通量输入所述目标函数，得到包括所述磁通串扰矩阵中对角元的第一待求解目标函数和包括所述磁通串扰矩阵中非对角元的第二待求解目标函数；

根据所述第一量子比特的测量频率、候选第一变量参数、候选第一磁通串扰强度以及所述第一待求解目标函数确定第一变量参数和所述第一磁通串扰强度；其中，所述第一变量参数为所述第一待求解目标函数中的未知参数，所述候选第一变量参数为所述第一待求解目标函数中未知参数的候选值；

根据所述第二量子比特的测量频率、所述第一变量参数、候选第二磁通串扰强度以及所述第二待求解目标函数确定所述第二磁通串扰强度。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一量子比特的测量频率、候选第一变量参数、候选第一磁通串扰强度以及所述第一待求解目标函数确定第一变量参数和所述第一磁通串扰强度，包括：

将所述候选第一变量参数和所述候选第一磁通串扰强度输入所述第一待求解目标函数，得到所述第一量子比特的第一计算频率，并获取所述第一量子比特的第一计算频率与所述第一量子比特的测量频率之间的第一误差；

调整所述候选第一变量参数和所述候选第一磁通串扰强度，直至所述第一误差最小，确定调整后的所述候选第一变量参数为所述第一变量参数，确定调整后的所述候选第一磁通串扰强度为所述第一磁通串扰强度。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述根据所述第二量子比特的测量频率、所述第一变量参数、候选第二磁通串扰强度以及所述第二待求解目标函数确定所述第二磁通串扰强度，包括：

将所述第一变量参数和所述候选第二磁通串扰强度输入所述第二待求解目标函数，得到所述第二量子比特的第二计算频率，并获取所述第二量子比特的第二计算频率与所述第二量子比特的测量频率之间的第二误差；

调整所述候选第二磁通串扰强度，直至所述第二误差最小，确定调整后的所述候选第二磁通串扰强度为所述第二磁通串扰强度。

6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

根据所述第一量子比特的测量频率、所述第二量子比特的测量频率、所述第一变量参数、所述第一磁通串扰强度、所述第二磁通串扰强度以及待求解目标函数确定新的磁通串扰矩阵；其中，所述待求解目标函数为输入所述第一磁通量和所述第二磁通量的目标函数。