[发明专利]高导热、低介电复合材料及其制备方法

权利要求书

1.一种高导热、低介电复合材料的制备方法，其特征在于，所述高导热、低介电复合材料包括以下步骤：

提供氮化硼纳米片分散液和聚四氟乙烯分散液；

混合所述氮化硼纳米片分散液和聚四氟乙烯分散液，得到混合分散液；

对所述混合分散液进行烘干处理，得到混合浆料；及

对所述混合浆料进行热辊压处理，得到混合膜；

对所述混合膜进行烧结处理，得到高导热、低介电复合材料，其中，所述高导热、低介电复合材料包括聚四氟乙烯和分布于所述聚四氟乙烯中的氮化硼纳米片，所述氮化硼纳米片首尾搭接，形成若干层连续导热通路。

2.根据权利要求1所述的高导热、低介电复合材料的制备方法，其特征在于，所述氮化硼纳米片分散液的浓度为0.5～50mg/mL；和/或

所述聚四氟乙烯分散液的固含量为20～60wt％。

3.根据权利要求1所述的高导热、低介电复合材料的制备方法，其特征在于，所述混合浆料的含水率为20～40wt％。

4.根据权利要求1所述的高导热、低介电复合材料的制备方法，其特征在于，所述混合分散液中，所述氮化硼纳米片的占比为1～60wt％。

5.根据权利要求1所述的高导热、低介电复合材料的制备方法，其特征在于，所述氮化硼纳米片的片径为0.2～1.0μm。

6.根据权利要求1所述的高导热、低介电复合材料的制备方法，其特征在于，所述热辊压处理的辊压速度为1～26mm/s，两辊柱的间隙为0.1～1.2mm，辊压时间为1～120min，温度为20～200℃；和/或

所述烘干处理的温度为60～100℃，时间为1～10h；和/或

所述烧结处理的温度为100～375℃，时间为1～24h。

7.根据权利要求1所述的高导热、低介电复合材料的制备方法，其特征在于，所述氮化硼纳米片分散液的溶剂选自去离子水、甲醇、乙醇、异丙醇、正丁醇、丙酮、二甲基亚砜、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、及N-甲基吡咯烷酮中的至少一种；和/或

所述聚四氟乙烯分散液的溶剂为含非离子表面活性剂的去离子水。

8.根据权利要求1所述的高导热、低介电复合材料的制备方法，其特征在于，所述高导热、低介电复合材料具有膜状结构，所述膜状结构的高导热、低介电复合材料的厚度为0.1～1.2mm。

9.一种高导热、低介电复合材料，其特征在于，所述高导热、低介电复合材料包括聚四氟乙烯和分布于所述聚四氟乙烯中的氮化硼纳米片，所述氮化硼纳米片首尾搭接，形成若干层连续导热通路。

10.根据权利要求9所述的高导热、低介电复合材料，其特征在于，所述高导热、低介电复合材料具有膜状结构，所述膜状结构的高导热、低介电复合材料的厚度为0.1～1.2mm。