[发明专利]一种具有复合沟槽结构的碳化硅肖特基器件在审
| 申请号： | 202111219525.0 | 申请日： | 2021-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN113903790A | 公开（公告）日： | 2022-01-07 |
| 发明（设计）人： | 何海洋;胡健峰;彭强 | 申请（专利权）人： | 无锡市查奥微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 南京北辰联和知识产权代理有限公司 32350 | 代理人： | 王俊 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新吴区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 复合 沟槽 结构 碳化硅 肖特基 器件 | ||
1.一种具有复合沟槽结构的碳化硅肖特基器件，包括碳化硅层N+、形成于碳化硅层N+背面的N型欧姆接触层以及形成于碳化硅层N+之上的碳化硅外沿层N-，其特征在于：所述碳化硅外沿层N-上设有电流抑制区，所述电流抑制区内对应碳化硅外沿层N-表面刻有沟槽(1)，所述沟槽(1)的底角与侧壁上通过注入掺杂形成有P型保护环(2)，所述沟槽(1)的顶角处设有敞口(10)，所述沟槽(1)内对应填充有P型碳化硅(3)，所述碳化硅外沿层N-上对应敞口(10)顶部设有N型保护环(4)，所述N型保护环(4)的外部间隔设有肖特基金属层(5)，相邻的两个肖特基金属层(5)之间通过绝缘层(6)连接，所述肖特基金属层(5)与绝缘层(6)的外部覆盖有阳极金属层(7)，所述电流抑制区的边缘设有N型过渡区(8)，所述N型过渡区(8)远离电流抑制区的边缘设有P型阱区(9)。
2.根据权利要求1所述的一种具有复合沟槽结构的碳化硅肖特基器件，其特征在于：所述阳极金属层(7)还覆盖于N型过渡区(8)和P型阱区(9)上表面。
3.根据权利要求1所述的一种具有复合沟槽结构的碳化硅肖特基器件，其特征在于：所述N型过渡区(8)内对应碳化硅外沿层N-上设有过渡区刻槽，所述过渡区刻槽的槽壁间隔宽度大于沟槽(1)的槽壁间隔宽度，所述过渡区刻槽的底角与侧壁上通过注入掺杂形成有过渡区P型保护环。
4.根据权利要求1所述的一种具有复合沟槽结构的碳化硅肖特基器件，其特征在于：所述P型阱区(9)内对应碳化硅外沿层N-上设有阱区刻槽，所述阱区刻槽的槽壁间隔宽度与沟槽(1)的槽壁间隔宽度相等，所述阱区刻槽的底角与侧壁上通过注入掺杂形成有阱区P型保护环。
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