[发明专利]一种显示面板在审
| 申请号: | 202111219166.9 | 申请日: | 2021-10-20 |
| 公开(公告)号: | CN114023898A | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
| 发明(设计)人: | 王浩然 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 熊恒定 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 显示 面板 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
基底;
位于所述基底上的显示层,所述显示层包括多个发光像素;
光取出层,位于所述显示层的出光方向,所述光取出层包括相对的第一表面及第二表面,所述光取出层开设有贯穿所述第一表面及第二表面的光取出孔,所述光取出孔与所述发光像素一一对应设置,其中,所述光取出层还包括自第一表面开设、并沿第二表面延伸且与每个所述光取出孔侧壁相连的微沟槽,所述微沟槽的侧表面相对所述第一表面倾斜设置;以及
平坦层,覆盖所述光取出层的表面,并填充所述光取出孔及所述微沟槽。
2.根据权利要求1所述的一种显示面板,其特征在于,所述光取出孔在所述第一表面的开口大于在所述第二表面的开口。
3.根据权利要求2所述的一种显示面板,其特征在于,所述光取出孔的侧表面与所述第一表面的夹角为α,所述微沟槽的侧表面与所述第一表面的夹角为β,α与β之间满足:20°≤β<α≤70°。
4.根据权利要求1所述的一种显示面板,其特征在于,每个所述发光像素在所述基底上的正投影位于对应的所述光取出孔在所述基底上的正投影范围内。
5.根据权利要求1所述的一种显示面板,其特征在于,所述发光像素在基底上的正投影的形状可以为圆形、椭圆形、葫芦形、矩形、多边形或者类多边形中的任意一种或者至少两种的结合。
6.根据权利要求1所述的一种显示面板,其特征在于,所述微沟槽的开口自远离所述光取出孔向靠近所述光取出孔的方向逐渐增大。
7.根据权利要求1所述的一种显示面板,其特征在于,所述微沟槽在所述基底上的正投影面积为S1,所述光取出孔在所述基底上的正投影面积为S2,S1与S2之比小于或者等于1:10。
8.根据权利要求7所述的一种显示面板,其特征在于,所述微沟槽的数量为多个,且间隔并均匀地分布在所述光取出孔的侧壁。
9.根据权利要求1所述的一种显示面板,其特征在于,每个所述微沟槽是从所述光取出层的一个表面开设延伸至光所述取出层的另一个表面。
10.根据权利要求1所述的一种显示面板,其特征在于,所述平坦层的折射率大于所述光取出层的折射率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





