[发明专利]一种半导体结构及一种硬掩膜层的制造方法在审
| 申请号： | 202111217366.0 | 申请日： | 2021-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN113948377A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 龙洋;蒋志超;刘丽娟;罗兴安 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 柳虹 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 硬掩膜层 制造 方法 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底上具有待刻蚀膜层；
所述待刻蚀膜层上具有硬掩膜层，所述硬掩膜层中掺杂有氮，所述掺杂有氮的硬掩膜层中氮的原子比例大于阈值，所述阈值根据未掺杂氮时的硬掩膜层的硬度确定。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述掺杂有氮的硬掩膜层的厚度大于所述未掺杂有氮的硬掩膜层的厚度。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述硬掩膜层包括第一硬掩膜层和第二硬掩膜层，所述第一硬掩膜层中掺杂有氮，所述第二硬掩膜层不掺杂氮，所述第一硬掩膜层和所述第二硬掩膜层交替层叠。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，全部厚度的所述硬掩膜层中掺杂有氮。
5.根据权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述硬掩膜层包括第三硬掩膜层和第四硬掩膜层，所述第三硬掩膜层中掺杂氮的原子比例大于所述第四硬掩膜层中掺杂氮的原子比例，所述第三硬掩膜层和所述第四硬掩膜层交替层叠。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述硬掩膜层的材料为碳。
7.一种硬掩膜层的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上形成有待刻蚀膜层；
在所述待刻蚀膜层上形成硬掩膜层；
对所述硬掩膜层进行氮掺杂。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述形成硬掩膜层包括：
利用化学气相沉积工艺形成硬掩膜层。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述对所述硬掩膜层进行氮掺杂包括：
在所述化学气相沉积工艺的反应气体中通入氮气。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，还包括：
控制所述氮气的通入时间和/或气流量，以控制所述硬掩膜层中掺杂氮的原子比例和所述硬掩膜层中掺杂氮的厚度。
11.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述控制所述氮气的输入时间和/或气流量包括：
每隔预设时间在所述化学气相沉积工艺的反应气体中输入氮气，以形成交替层叠的第一硬掩膜层和第二硬掩膜层，所述第一硬掩膜层中掺杂有氮，所述第二硬掩膜层不掺杂氮。
12.根据权利要求10所述的制造方法，其特征在于，所述控制所述氮气的输入时间和/或气流量包括：
每隔预设时间调整化学气相沉积工艺的反应气体中输入氮气的气流量，以形成交替层叠的第三硬掩膜层和第四硬掩膜层，所述第三硬掩膜层中掺杂氮的原子比例大于所述第四硬掩膜层中掺杂氮的原子比例。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
