[发明专利]一种杀菌胶膜及其卷绕镀制方法

权利要求书

1.一种杀菌胶膜，其特征在于：包括胶膜主体(1)，所述胶膜主体(1)表面镀设有杀菌层(2)，所述杀菌层(2)包括结合膜层(21)、载体层(22)、第一杀菌膜层(23)及第二杀菌膜层(24)。

2.根据权利要求1所述的杀菌胶膜，其特征在于：所述胶膜主体1的结构材料包括：PET、TPU、EVA、PU、PP、PVC、PE、PO、ABS、PC、POM、PA、TPE及硅胶。

3.根据权利要求1所述的杀菌胶膜，其特征在于：所述杀菌层(2)完全地覆盖所述胶膜主体(1)的外表面。

4.根据权利要求1所述的杀菌胶膜，其特征在于：所述杀菌层(2)完全地覆盖所述胶膜主体(1)的内表面。

5.根据权利要求1所述的杀菌胶膜，其特征在于：所述结合膜层(21)包括由Si制成的膜层。

6.根据权利要求1所述的杀菌胶膜，其特征在于：所述载体层(22)包括由Si和TiC制成的膜层。

7.根据权利要求1所述的杀菌胶膜，其特征在于：所述第一杀菌膜层(23)包括由Si、TiC和Ag制成的膜层。

8.根据权利要求1所述的杀菌胶膜，其特征在于：所述第二杀菌膜层(24)包括由Si、TiC、Ag和Ag制成的膜层。

9.一种杀菌胶膜卷绕镀制方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)预处理：将卷轴胶膜安装上架，放入真空炉内，启动一收一放卷轴，进行电晕处理；

(2)真空处理：真空炉内抽真空至1x10-3Pa；

(3)结合膜层镀制：开启电源调至30-40V，占空比为20％-30％，通入氩气使真空度达到2.0x10-2Pa，启动Si靶，Si靶的电流密度为6A,炉温调至40摄氏度，然后启动卷轴胶膜，胶膜前进的线速度为0.1-0.3米/秒，Si靶依照胶膜前进方向溅射，使胶膜表面形成Si结合膜层；完成Si结合膜层镀制的胶膜持续前进到下一镀层制作；

(4)载体层镀制：Si靶及TiC靶同时溅射,TiC靶的电流密度为6A,炉温保持40摄氏度，依照胶膜前进方向，按Si靶、TiC靶顺序依次排列并同时溅射，使胶膜表面形成Si和TiC的载体层；完成Si和TiC的载体层镀制的胶膜持续前进到下一镀层制作；

(5)第一杀菌膜层镀制：保持Si靶和TiC靶，同时启动第一Ag靶，第一Ag靶的电流密度为0.4A,炉温保持40摄氏度，依照胶膜前进方向，按Si靶、TiC靶、第一Ag靶顺序依次排列同时溅射，使胶膜表面形成Si、TiC和Ag的第一杀菌膜层；完成Si、TiC和Ag的第一杀菌膜层镀制的胶膜持续前进到下一镀层制作；

(6)第二杀菌膜层镀制：保持Si靶、TiC靶和第一Ag靶，同时启动第二Ag靶，第二Ag靶的电流密度为0.4A,炉温保持40摄氏度，依照胶膜前进方向，按Si靶、TiC靶、第一Ag靶、第二Ag靶顺序依次排列同时溅射，使胶膜表面形成Si、TiC、Ag和Ag的第二杀菌膜层；胶膜另一端同时绕第二卷筒进行收卷；

(7)镀膜完成：先关闭Si靶、TiC靶，然后关闭第一Ag靶和第二Ag靶，最后关闭所有气体，待5-10分钟降温后，将真空炉分段放空气至大气压，取出工件完成镀膜。