[发明专利]一种多层ITO反射的双面双结太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 202111211726.6 | 申请日： | 2021-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN113948600A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 王智勇;黄瑞;兰天 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L31/054 | 分类号： | H01L31/054;H01L31/068;H01L31/0687;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人： | 林聪源 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多层 ito 反射 双面 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种多层ITO反射的双面双结太阳能电池，其特征在于，包括：n-Si层；
所述n-Si层的上下表面分别掺杂形成p+-Si层和n+-Si层，所述p+-Si层上依次形成有第一隧道结和ITO分布式反射镜；
所述ITO分布式反射镜上制备AlxGa1-xAs子电池，所述AlxGa1-xAs子电池和所述n+-Si层上分别制备减反射层、欧姆接触层和金属电极。
2.如权利要求1所述的双面双结太阳能电池，其特征在于，所述ITO分布式反射镜包含多对交替生长的不同折射率的ITO薄膜。
3.如权利要求2所述的双面双结太阳能电池，其特征在于，所述ITO薄膜的周期数为20～40对。
4.如权利要求1所述的双面双结太阳能电池，其特征在于，所述AlxGa1-xAs子电池包括n-AlxGa1-xAs层，所述n-AlxGa1-xAs层的上下表面分别掺杂形成p+-AlxGa1-xAs层和n+-AlxGa1-xAs层，所述n+-AlxGa1-xAs层键合在所述ITO分布式反射镜上，所述p+-AlxGa1-xAs层上制备所述减反射层。
5.一种如权利要求1～4中任一项所述的双面双结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：
对n-Si层上下表面进行制绒；
对所述n-Si层的上表面进行p+型掺杂，形成p+-Si层；
对所述n-Si层的下表面进行n+型掺杂，形成n+-Si层；
在所述p+-Si层的上表面进行Si沉积，形成第一隧道结；
在所述第一隧道结的上表面交替生长折射率为n2的ITO薄膜和折射率为n1的ITO薄膜，形成ITO分布式反射镜；
对n-AlxGa1-xAs层的下表面进行n+型掺杂，形成n+-AlxGa1-xAs层；
将所述n+-AlxGa1-xAs层键合在所述ITO分布式反射镜上；
对n-AlxGa1-xAs层的上表面进行p+型掺杂，形成p+-AlxGa1-xAs层；
在所述p+-AlxGa1-xAs层和n+-Si层上分别沉积生长减反射膜，并分别制备正面电极和背面电极。
6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述折射率为n1的ITO薄膜是通过用电子束蒸发生长的，厚度为100nm～300nm，气压为10-6mbar～10-7mbar，温度在400℃～600℃。
7.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述折射率为n2的ITO薄膜是通过用磁控溅射法生长的，厚度为100nm～300nm，气压为10-6mbar～10-7mbar，温度在400℃～600℃。
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