[发明专利]集成电路器件

说明书

一种集成电路器件包括：鳍型有源区，位于衬底上；至少一个纳米片，具有面对鳍顶的底表面；栅极线，位于所述鳍型有源区上；以及源极/漏极区，位于所述鳍型有源区上，与所述栅极线相邻，并且与所述至少一个纳米片接触，其中，所述源极/漏极区包括下主体层和上主体层，所述下主体层的顶表面包括下刻面，所述下刻面在其在从所述至少一个纳米片到所述源极/漏极区的中心的方向上延伸时朝向所述衬底下降的，并且所述上主体层包括与所述下刻面接触的底表面和具有上刻面的顶表面。对于垂直截面，所述下刻面沿着相应的第一线延伸，所述上刻面沿着与所述第一线相交的第二线延伸。

相关申请的交叉引用

本申请基于并要求于2020年12月11日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2020-0173677的优先权，通过引用将其公开内容全部并入本文。

技术领域

本发明构思涉及集成电路器件，并且更具体地，涉及包括场效应晶体管的集成电路器件。

背景技术

随着集成电路器件的小型化的快速发展，有必要确保集成电路器件操作的准确性及其快速操作速度。随着集成电路器件的集成密度的增加及其尺寸的减小，需要开发一种新的结构来提高纳米片场效应晶体管的性能和可靠性。

发明内容

本发明构思提供了一种用于减小纳米片场效应晶体管的源极/漏极区的接触电阻并改善其电特性的分布的集成电路器件。

根据本发明构思的一方面，提供了一种集成电路器件，其包括：鳍型有源区，位于衬底上，并且在第一水平方向上延伸；至少一个纳米片，在垂直方向上与所述鳍型有源区的鳍顶分开，并且具有面对所述鳍型有源区的所述鳍顶的底表面；栅极线，位于所述鳍型有源区上，围绕所述至少一个纳米片，并且在不同于所述第一水平方向的第二水平方向上延伸；以及源极/漏极区，位于所述鳍型有源区上，与所述栅极线相邻，并且与所述至少一个纳米片接触，其中，所述源极/漏极区包括下主体层和上主体层，所述下主体层和所述上主体层在所述垂直方向上顺序地堆叠在所述鳍型有源区上，其中，所述下主体层的顶表面包括下刻面，所述下刻面在其从所述至少一个纳米片到所述源极/漏极区的中心的方向上延伸时朝向所述衬底下降，其中，所述上主体层包括与所述下主体层的所述顶表面的所述下刻面接触的底表面和具有上刻面的顶表面，其中，对于垂直截面，所述下刻面沿着第一线延伸，所述上刻面沿着第二线延伸，并且其中，所述第一线和所述第二线彼此相交。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种集成电路器件，其包括：鳍型有源区，位于衬底上并且在第一水平方向上伸长；凹陷，形成在所述鳍型有源区中；成对的纳米片堆叠件，位于所述鳍型有源区的鳍顶上，并且在所述第一水平方向上彼此分开，所述凹陷位于所述成对的纳米片堆叠件之间；以及成对的栅极线，位于所述鳍型有源区上，每一条所述栅极线围绕所述成对的纳米片堆叠件中的相应的一个纳米片堆叠件，并且在不同于所述第一水平方向的第二水平方向上延伸；以及源极/漏极区，位于所述凹陷中，并且与所述成对的纳米片堆叠件中的每一个纳米片堆叠件接触，其中，所述源极/漏极区包括下主体层和上主体层，所述下主体层和所述上主体层在垂直方向上顺序地堆叠在所述凹陷中，其中，所述下主体层的顶表面包括成对的下刻面，每个所述下刻面在其从所述成对的纳米片堆叠件中的一个纳米片堆叠件到所述源极/漏极区的中心的方向上延伸时朝向所述衬底下降，其中，所述上主体层包括与所述成对的下刻面接触的底表面和具有上刻面的顶表面，其中，对于垂直截面，每个所述下刻面沿着相应的第一线延伸，所述上刻面沿着第二线延伸，并且其中，每一条所述第一线和所述第二线彼此相交。