[发明专利]发光器件驱动电路、背光模组以及显示面板有效

专利信息
申请号: 202111209891.8 申请日: 2021-10-18
公开(公告)号: CN113920923B 公开(公告)日: 2022-09-09
发明(设计)人: 尹翔 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32;G09G3/3208;G09G3/3266;G09G3/3258
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 黄舒悦
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 发光 器件 驱动 电路 背光 模组 以及 显示 面板
【权利要求书】:

1.一种发光器件驱动电路,其特征在于,包括:

发光器件,所述发光器件串接于第一电源信号与第二电源信号构成的发光回路;

控制模块,控制模块接入控制信号,并串接于所述发光回路,所述控制模块用于基于所述控制信号控制所述发光回路导通或者截止;

驱动晶体管,所述驱动晶体管的源极以及所述驱动晶体管的漏极串接于所述发光回路,所述驱动晶体管的栅极电性连接于第一节点;

数据信号写入模块,所述数据信号写入模块接入数据信号以及第一扫描信号,并电性连接于第二节点,所述数据信号写入模块用于在所述第一扫描信号的控制下输送所述数据信号至所述第二节点;

补偿模块,所述补偿模块接入第二扫描信号,且所述补偿模块电性连接于所述驱动晶体管的源极以及所述第一节点,所述补偿模块用于在所述第二扫描信号的控制下对驱动晶体管的阈值电压进行补偿,其中,所述补偿模块以及所述控制模块还用于在所述控制信号以及所述第二扫描信号的控制下将所述第一电源信号输送至所述第一节点;

第一存储电容,所述第一存储电容的一端接入所述第一电源信号,所述第一存储电容的另一端电性连接于所述第一节点;以及

第二存储电容,所述第二存储电容的一端电性连接于所述第一节点,所述第二存储电容的另一端电性连接于所述第二节点,其中,所述第一存储电容和所述第二存储电容的比值为0.25至4;其中,

所述控制信号、所述第一扫描信号以及所述第二扫描信号先后对应于复位阶段、侦测阶段、写入阶段以及发光阶段;

在所述复位阶段,所述第一扫描信号为低电位,所述第二扫描信号为高电位,所述控制信号为高电位;

在所述侦测阶段,所述第一扫描信号为低电位,所述第二扫描信号为高电位,所述控制信号为低电位;

在所述写入阶段,所述第一扫描信号为高电位,所述第二扫描信号为低电位,所述控制信号为低电位;

在所述发光阶段,所述第一扫描信号为低电位,所述第二扫描信号为低电位,所述控制信号为高电位。

2.根据权利要求1所述的发光器件驱动电路,其特征在于,所述控制模块包括控制晶体管;

所述控制晶体管的栅极接入所述控制信号,所述控制晶体管的源极接入所述第一电源信号,且所述控制晶体管的漏极电性连接于所述驱动晶体管的源极。

3.根据权利要求2所述的发光器件驱动电路,其特征在于,所述补偿模块包括补偿晶体管,所述补偿晶体管的栅极接入所述第二扫描信号,所述补偿晶体管的源极电性连接于所述控制晶体管的漏极,所述补偿晶体管的漏极电性连接于所述第一节点。

4.根据权利要求1所述的发光器件驱动电路,其特征在于,所述数据信号写入模块包括数据信号写入晶体管,所述数据信号写入晶体管的栅极接入所述第一扫描信号,所述数据信号写入晶体管的源极接入所述数据信号,所述数据信号写入晶体管的漏极电性连接于所述第二节点。

5.根据权利要求1所述的发光器件驱动电路,其特征在于,在所述侦测阶段,所述第一节点的电压的计算公式为VNst=VSS+Vth_oled+Vth_T1,所述第二节点的电压的计算公式为Vs=VSS+Vth_oled,其中,VNst为所述第一节点的电压,Vs为所述第二节点的电压,VSS为所述第二电源信号的电压,Vth_oled为所述发光器件的阈值电压,Vth_T1为所述驱动晶体管的阈值电压。

6.根据权利要求1所述的发光器件驱动电路,其特征在于,在所述写入阶段,所述第一节点的电压的计算公式为VNst=VSS+Vth_oled+Vth_T1+C1/(C1+C2)*(Vdata-VSS-Vth_oled),所述第二节点的电压的计算公式为Vs=Vdata,其中,VNst为所述第一节点的电压,Vs为所述第二节点的电压,VSS为所述第二电源信号的电压,Vth_oled为所述发光器件的阈值电压,Vth_T1为所述驱动晶体管的阈值电压,C1为所述第一存储电容的电容,C2为所述第二存储电容C2的电容,Vdata为所述数据信号的电压。

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