[发明专利]具有裸片上高速缓冲存储器的存储器装置在审
| 申请号: | 202111209291.1 | 申请日: | 2021-10-18 |
| 公开(公告)号: | CN114385522A | 公开(公告)日: | 2022-04-22 |
| 发明(设计)人: | S·S·艾勒特;A·D·艾卡尔;S·斯瓦米 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
| 主分类号: | G06F12/0877 | 分类号: | G06F12/0877 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 彭晓文 |
| 地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 裸片上 高速 缓冲存储器 存储器 装置 | ||
1.一种存储器装置,其包括:
多个存储体组,其中每个存储体组包括多个存储器存储体;
多个行缓冲器,其中所述多个行缓冲器中的至少一个行缓冲器与所述多个存储器存储体中的每个存储器存储体相关联;
高速缓冲存储器,其包括多个高速缓存线;
处理逻辑,其以通信方式耦合到所述多个存储体组和所述多个行缓冲器,所述处理逻辑用以执行包括以下各项的操作:
接收指定所述多个存储器存储体中的存储器存储体的行的激活命令;
将数据从指定行提取到所述多个行缓冲器中的行缓冲器;以及
将所述数据复制到所述多个高速缓存线中的高速缓存线。
2.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述存储器装置是动态随机存取存储器DRAM装置。
3.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述高速缓冲存储器是静态随机存取存储器SRAM装置。
4.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述处理逻辑包括内容可寻址存储器CAM电路以将存储器地址翻译为以下各项中的一项:所述多个存储器存储体中的特定存储器存储体的特定行的标识符或所述高速缓冲存储器的特定线的标识符。
5.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述处理逻辑用以进一步执行包括以下各项的操作:
接收指定列地址的读取命令;
从所述高速缓存线的位置读取所述数据的至少一部分,其中所述位置由所述列地址标识。
6.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述处理逻辑用以进一步执行包括以下各项的操作:
接收指定列地址和新数据的写入命令;
将所述新数据存储到所述高速缓存线的位置,其中所述位置由所述列地址标识。
7.根据权利要求1所述的存储器装置,其中所述处理逻辑用以进一步执行包括以下各项的操作:
接收指定所述存储器存储体的所述行的预充电命令;
将所述数据从所述高速缓存线复制到所述存储器存储体的所述行。
8.一种芯片上系统,其包括:
多个存储体组,其中每个存储体组包括多个存储器存储体;
多个行缓冲器,其以通信方式耦合到所述多个存储体组;
高速缓冲存储器,其包括多个高速缓存线;
内容可寻址存储器CAM电路,其用以将存储器地址翻译为以下各项中的一项:所述多个存储器存储体中的特定存储器存储体的特定行的标识符或所述高速缓冲存储器的特定线的标识符;
处理逻辑,其以通信方式耦合到所述多个存储体组和所述多个行缓冲器,所述处理逻辑用以执行包括以下各项的操作:
接收指定存储器地址的读取命令;
通过所述CAM电路将所述存储器地址翻译为所述多个高速缓存线中的高速缓存线的标识符;以及
从所述高速缓存线读取数据。
9.根据权利要求8所述的芯片上系统,其中所述多个存储器存储体中的每个存储器存储体是动态随机存取存储器DRAM存储体。
10.根据权利要求8所述的芯片上系统,其中所述高速缓冲存储器是静态随机存取存储器SRAM装置。
11.根据权利要求8所述的芯片上系统,其中所述多个行缓冲器中的一或多个行缓冲器与所述多个存储器存储体中的每个存储器存储体相关联。
12.根据权利要求8所述的芯片上系统,其中所述处理逻辑用以进一步执行包括以下各项的操作:
接收指定所述存储器地址和新数据的写入命令;
通过所述CAM电路将所述存储器地址翻译为所述多个高速缓存线中的所述高速缓存线的所述标识符;以及
将所述新数据存储到所述高速缓存线。
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