[发明专利]一种高熵增强非晶合金复合材料及其制备方法

权利要求书

1.一种高熵增强非晶合金复合材料，其特征在于：该复合材料由Cr-Fe-Ni-Ta-Mo-V高熵合金相增强Co-Fe-Ta-La-B非晶合金基体组成，高熵相体积占复合材料总体积的0.1％～1％，高熵合金增强相尺寸在30～80μm；

非晶合金基体按原子百分含量含有：15％～25％Fe、2％～10％Ta、11％～17％La、15％～25％B，余量为Co；

高熵合金增强相按原子百分含量含有：15％～25％Fe、10％～20％Ni、15％～25％Ta、7％～16％Mo、10％～20％V，余量为Cr。

2.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于：非晶合金基体按原子百分含量含有：16％～22％Fe、4％～8％Ta、12％～15％La、17％～23％B，余量为Co。

3.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于：高熵合金增强相按原子百分含量含有：16％～19％Fe、12％～17％Ni、16％～23％Ta、9％～15％Mo、11％～16％V，余量为Cr。

4.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于：高熵合金增强相在非晶合金基体中的体积分数为0.2％～0.8％，高熵合金增强相的尺寸在40～70μm。

5.根据权利要求1所述的复合材料，其特征在于：高熵合金增强相在非晶合金基体中的体积分数为0.3％～0.5％，高熵合金增强相的尺寸在50～60μm。

6.一种制备如权利要求1所述的复合材料的制备方法，其特征在于：所述制备方法采用激光送粉增材制造技术在基板上进行制备，采用双通道方式送粉。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述双通道方式具体为：

将非晶合金粉体与具有高韧性的高熔点高熵合金粉体分别装入激光增材制造设备中的双通道送粉装置中，通过调节激光增材制造设备双通道送粉装置中每一通道的送粉量及载粉器流量，使增材制造得到的复合材料中的增强相的体积占比满足要求。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：高熵合金粉末所在送粉通道的送粉量为500rpm～1000rpm、载粉器流量为3L/min～6L/min，非晶合金粉末所在送粉通道的送粉量为2200rpm～3600rpm、载粉器流量为6L/min～9L/min。