[发明专利]NAND闪存中物理块的管理方法、装置及SSD设备有效
申请号: | 202111205527.4 | 申请日: | 2021-10-15 |
公开(公告)号: | CN114063906B | 公开(公告)日: | 2022-05-17 |
发明(设计)人: | 张易;孙丽华;薛红军;张建涛 | 申请(专利权)人: | 北京得瑞领新科技有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06 |
代理公司: | 北京慧智兴达知识产权代理有限公司 11615 | 代理人: | 李丽颖 |
地址: | 100192 北京市海淀区西小口路66号*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | nand 闪存 物理 管理 方法 装置 ssd 设备 | ||
1.一种NAND闪存中物理块的管理方法,其特征在于,该方法包括:
获取NAND闪存中各个物理块的状态;
根据物理块的状态查找NAND闪存中处于编程状态的物理块;
判断处于编程状态的物理块中的存储数据是否被标记为无用数据;
若处于编程状态的物理块中的存储数据被标记为无用数据,则将当前物理块记录为第一目标物理块;
保留第一目标物理块的编程状态不变,直到对第一目标物理块进行数据写入时,对所述第一目标物理块进行擦除操作;
在获取NAND闪存中各个物理块的状态之后,所述方法还包括:
根据物理块的状态查找NAND闪存中处于擦除状态的物理块;
将处于擦除状态的物理块记录为第二目标物理块;
在所述第二目标物理块中写入无效数据,包括:在第二目标物理块中写入指定阈值电压的无效数据,且不对写入的无效数据做加扰处理,其中,指定阈值电压为Level1编码状态或Level2编码状态。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在第二目标物理块中写入无效数据之后,所述方法还包括:
将所述第二目标物理块从擦除状态修改为编程状态,并将当前物理块中的存储数据标记为无用数据。
3.一种NAND闪存中物理块的管理装置,其特征在于,该装置包括:
获取模块,用于获取NAND闪存中各个物理块的状态;
查找模块,用于根据物理块的状态查找NAND闪存中处于编程状态的物理块;
判断模块,用于判断处于编程状态的物理块中的存储数据是否被标记为无用数据;
配置模块,用于当处于编程状态的物理块中的存储数据被标记为无用数据时,将当前物理块记录为第一目标物理块;
处理模块,用于保留第一目标物理块的编程状态不变,直到对第一目标物理块进行数据写入时,对所述第一目标物理块进行擦除操作;
所述查找模块,还用于在获取NAND闪存中各个物理块的状态之后,根据物理块的状态查找NAND闪存中处于擦除状态的物理块;
所述配置模块,还用于将处于擦除状态的物理块记录为第二目标物理块;
所述处理模块,还用于在所述第二目标物理块中写入无效数据,具体用于在第二目标物理块中写入指定阈值电压的无效数据,且不对写入的无效数据做加扰处理,其中,指定阈值电压为Level1编码状态或Level2编码状态。
4.根据权利要求3所述的装置,其特征在于,所述处理模块,还用于在第二目标物理块中写入无效数据之后,将所述第二目标物理块从擦除状态修改为编程状态,并将当前物理块中的存储数据标记为无用数据。
5.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,该计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1-2任一项所述方法的步骤。
6.一种SSD设备,其特征在于,该SSD设备包括存储控制器,所述存储控制器包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述计算机程序时实现如权利要求1-2任一项所述方法的步骤。
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