[发明专利]一种碱金属离子插层SnS2有效

专利信息
申请号: 202111204279.1 申请日: 2021-10-15
公开(公告)号: CN113968590B 公开(公告)日: 2023-08-22
发明(设计)人: 孔新刚;吴雄涛;冯旗;殷立雄;李嘉胤;欧阳海波 申请(专利权)人: 陕西科技大学
主分类号: H01M4/58 分类号: H01M4/58
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 高博
地址: 710021*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 碱金属 离子 sns base sub
【权利要求书】:

1.一种碱金属离子插层SnS2的制备方法,其特征在于,采用硫脲或尿素和碱混合作为熔盐体系,再加入锡源和硫源,混合均匀后加入到高压反应釜中,在100~200℃下,通过低温熔盐法,经冷却、洗涤和干燥,制备出碱金属离子插层SnS2,碱金属离子插层SnS2包括锂离子插层SnS2、钠离子插层SnS2和钾离子插层SnS2;制备得到的碱金属离子插层SnS2应用于制备电池负极材料;

其中,硫脲或尿素和碱的质量比为1:(2-6),锡源和硫源的摩尔比为1:(1-5);

所述碱为LiOH▪H2O 、NaOH或KOH;所述锡源为SnCl4 ▪5H2O、SnCl2 ▪2H2O或SnI2

2.根据权利要求1所述的碱金属离子插层SnS2的制备方法,其特征在于,所述硫源为L-半胱氨酸、硫代乙酰胺、硫脲或硫化钠。

3.采用权利要求1或2所述的制备方法制得的碱金属离子插层SnS2,其特征在于,锂离子插层SnS2、钠离子插层SnS2和钾离子插层SnS2的层间距分别为0.88nm、0.95nm和1.01nm。

4.根据权利要求3得到的碱金属离子插层SnS2,其特征在于,碱金属离子插层SnS2在电流密度为0.2A g-1-5.0 A g-1的条件下循环10圈,碱金属离子插层SnS2的比容量为587mAhg-1-1122mAh g-1

5.权利要求3所述的碱金属离子插层SnS2在制备电池负极材料中的应用。

6.采用权利要求3所述的碱金属离子插层SnS2制备电池负极材料的方法,其特征在于,将碱金属离子插层SnS2、羧甲基纤维素钠和乙炔黑混合研磨后,加水配制成混合浆料,均匀地涂布在铜片上,得到电池负极材料。

7.根据权利要求6所述的制备电池负极材料的方法,其特征在于,碱金属离子插层SnS2、羧甲基纤维素钠和乙炔黑的质量比为(70-80):(5-10):(15-20)。

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