[发明专利]一种电子束辐照诱导的二维材料晶体结构调控方法在审
| 申请号： | 202111202714.7 | 申请日： | 2021-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN113816426A | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 徐涛;朱亚彤;国洪轩;孙立涛 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | C01G39/06 | 分类号： | C01G39/06;C01G41/00;C01B19/04 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 孙建朋 |
| 地址： | 211102 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电子束 辐照 诱导 二维 材料 晶体结构 调控 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种电子束辐照诱导的二维材料晶体结构调控方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、制备单层或10层以内的二维材料；
步骤2、将单层或少层二维材料置于载样台，并在真空条件下持续加热8～12小时；
步骤3、将单层或少层二维材料置于高能电子束辐射环境中，获得调控后的二维材料；其中采用的辐照设备是透射电子显微镜，在辐照处理同时在原子尺度实现调控过程的可视化监测；
所述的高能电子束辐射环境中高能电子束能量范围为60keV～300keV，剂量率范围为104～109e-·nm-2·s-1。
2.根据权利要求1所述的电子束辐照诱导的二维材料晶体结构调控方法，其特征在于，所述步骤1中二维材料包括二硫化钼、二硫化钨、二硒化钼或二硒化物。
3.根据权利要求1所述的电子束辐照诱导的二维材料晶体结构调控方法，其特征在于，步骤2涉及的加热温度范围为70～200℃。
4.根据权利要求1所述的电子束辐照诱导的二维材料晶体结构调控方法，其特征在于，步骤1中制备方法是微机械剥离法。
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