[发明专利]一种全瓷玻化瓦及其生产工艺在审
| 申请号: | 202111193865.0 | 申请日: | 2021-10-13 |
| 公开(公告)号: | CN113944281A | 公开(公告)日: | 2022-01-18 |
| 发明(设计)人: | 胡自金 | 申请(专利权)人: | 黄冈市蕲春县新天地瓷业有限公司 |
| 主分类号: | E04D1/28 | 分类号: | E04D1/28;E04D1/00;E04D1/36;E04D13/16;B28B3/26;B28B11/00;B28B11/24 |
| 代理公司: | 湖北天领艾匹律师事务所 42252 | 代理人: | 刘延平 |
| 地址: | 435300 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 全瓷玻化瓦 及其 生产工艺 | ||
1.一种全瓷玻化瓦及其生产工艺,包括第一全瓷玻化瓦结构(1),其特征在于:所述第一全瓷玻化瓦结构(1)的一侧卡接有第二全瓷玻化瓦结构(2),所述第二全瓷玻化瓦结构(2)顶端的一端卡接有第三全瓷玻化瓦结构(3),所述第三全瓷玻化瓦结构(3)顶端的一侧设有固定结构(5);其中第一全瓷玻化瓦结构(1)包括第一全瓷玻化瓦(11),所述第一全瓷玻化瓦(11)的顶端固定连接有多组第一拼合槽(12),所述第一拼合槽(12)顶端的两端固定连接有第一定位卡柱槽(13),所述第一全瓷玻化瓦(11)顶端的一侧设有第三定位卡柱槽(14)。
2.根据权利要求1所述的一种全瓷玻化瓦及其生产工艺,其特征在于:所述第二全瓷玻化瓦结构(2)包括第二全瓷玻化瓦(21),所述第二全瓷玻化瓦(21)的顶端固定连接有多组第二拼合槽(23),所述第二全瓷玻化瓦(21)顶端的两端固定连接有多组第二定位卡柱槽(22),所述第二全瓷玻化瓦(21)底端的一侧固定连接有卡箍凹槽(24)。
3.根据权利要求1所述的一种全瓷玻化瓦及其生产工艺,其特征在于:所述第三全瓷玻化瓦结构(3)包括第三全瓷玻化瓦(31),所述第三全瓷玻化瓦(31)一侧的顶端固定连接有拼接榫头(32),所述第三全瓷玻化瓦(31)另一侧的顶端固定连接有拼接榫槽(34),所述第三全瓷玻化瓦(31)顶端的一侧设有安装卡扣块(33),所述第三全瓷玻化瓦结构(3)的底端设有隔音结构(4),所述隔音结构(4)包括瓷块框(43),所述第三全瓷玻化瓦(31)的底端与瓷块框(43)的顶端固定连接,所述瓷块框(43)的底端固定连接有隔音瓷瓦(42),所述隔音瓷瓦(42)的底端固定连接有多个定位条块(41),所述定位条块(41)的内侧固定连接有填充腔(44),所述填充腔(44)的内侧填充有隔音碎屑填充物(45)。
4.根据权利要求3所述的一种全瓷玻化瓦及其生产工艺,其特征在于:所述固定结构(5)包括安装卡扣槽(54),所述安装卡扣块(33)的外侧与安装卡扣槽(54)卡接,所述安装卡扣槽(54)的外侧固定连接有弧形筒瓦(51),所述弧形筒瓦(51)一端的中部固定连接有连接卡槽(53),所述弧形筒瓦(51)一端的顶端固定连接有对接卡槽(52),所述弧形筒瓦(51)另一端的顶端固定连接有对接卡块(55)。
5.根据权利要求4所述的一种全瓷玻化瓦及其生产工艺,其特征在于:所述安装卡扣块(33)外侧的大小与安装卡扣槽(54)内侧的大小相匹配,所述对接卡块(55)外侧的大小与连接卡槽(53)内侧的大小相匹配。
6.根据权利要求3所述的一种全瓷玻化瓦及其生产工艺,其特征在于:所述定位条块(41)的数量有多组,所述填充腔(44)的数量有多组,所述隔音碎屑填充物(45)的数量有多组。
7.根据权利要求1所述的一种全瓷玻化瓦及其生产工艺,其特征在于:所述第一定位卡柱槽(13)的数量有多组,所述第一定位卡柱槽(13)的内侧卡接有第一定位卡柱块,且所述第一定位卡柱块的数量有多组,所述第一定位卡柱块的顶端与瓷块框(43)的底端固定连接。
8.根据权利要求1所述的一种全瓷玻化瓦及其生产工艺,其特征在于:所述全瓷玻化瓦的生产工艺:
S1、先将瓷泥坯通过模具和挤压机挤压成隔音瓷瓦,然后再与模具配合用挤压机将瓷泥坯挤压成定位条块的形状;
S2、将定位条块用较为湿和黏性较好的瓷泥坯涂抹到隔音瓷瓦底端的凹槽处,将没有干的定位条块粘到隔音瓷瓦的底端,使得定位条块与隔音瓷瓦黏贴后在定位条块的顶端和隔音瓷瓦的底座之间形成一个填充腔;
S3、然后在辅助模具和挤压机的作用下分别将瓷泥坯挤压成第一全瓷玻化瓦、第二全瓷玻化瓦和第三全瓷玻化瓦的形状,然后将瓷泥坯拉成条状,将条状的瓷泥条黏贴到隔音瓷瓦顶端的外围,将黏贴好瓷块框的隔音瓷瓦分别黏贴到对应的第一全瓷玻化瓦、第二全瓷玻化瓦和第三全瓷玻化瓦的底端;
S4、将瓷泥坯挤压成安装卡扣块的形状,将安装卡扣块固定黏贴到第三全瓷玻化瓦顶端的两侧上;
S5、制作好后,将制作好的瓷瓦放置到1000℃~2000℃的烧制炉内进行烧结,烧结48小时后得成品。
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