[发明专利]一种用于片内可调节带宽的LDO模块

权利要求书

1.一种用于片内可调节带宽的LDO模块，其特征在于，包括基准电压产生电路、电流偏置电路、基准电流产生电路、误差比较器电路和功率管级电路；

所述的基准电压产生电路是由电阻反馈网络构成一个负反馈系统，为误差比较器电路输入端提供小于带隙基准电压的参考电压；

所述的电流偏置电路由4个PMOS管和1个NMOS管构成，用于控制误差比较器的电流；

所述的基准电流产生电路包括电流调节模块、长尾式运放模块、偏置电压模块；

其中电流调节模块包括由1个NMOS管与vbt端口组成的旁路开关，2个串联电阻，1个PMOS管构成，PMOS管的漏极经LPB引脚与电流偏置电路PMOS管的源极连接；

长尾式运放模块是由一组差分对管、4个PMOS管以及一个NMOS管组成长尾式共源共栅运放；

偏置电压模块由3个PMOS管串联，利用MOS管分压结构提供电压偏置；

所述的误差比较器电路采用折叠式共源共栅运放结构；其正向输入端与功率管级电路输出端的分压处相连以形成负反馈，基准电流产生电路与电流偏置电路经由In_p引脚连接，所述的误差比较器电路的负向输入端与基准电压产生电路的输出端连接；所述误差比较器电路的输出端与功率管级电路连接；

所述的功率管级电路包括功率管Mout及功率补偿模块。

2.根据权利要求1所述的LDO模块，其特征在于，所述的误差比较器电路是由差分管Md1、差分管Md2，PMOS管Mpt5、NMOS管Mnt1、NMOS管Mnt2、NMOS管Mnt3、NMOS管Mnt4、PMOS管Mpt6、PMOS管Mpt7、PMOS管Mpt8、PMOS管Mpt9组成折叠式共源共栅运放。

3.根据权利要求1所述的LDO模块，其特征在于，所述的功率管级电路的功率补偿模块是将电阻Rb与电容MC0串联在功率管Mout的栅极与漏极之间。

4.根据权利要求2所述的LDO模块，其特征在于，所述的NMOS管Mnt4的源端与输出端VOUT之间连接电容MC1。

5.根据权利要求1所述的LDO模块，其特征在于，所述的电流调节模块包括由NMOS管MT与vbt端口组成的旁路开关、电阻Rr、电阻Rt串联和PMOS管MP_D构成。

6.根据权利要求1所述的LDO模块，其特征在于，所述的偏置电压模块由PMOS管Mg0、PMOS管Mg1、PMOS管Mg2串联，其连接方式为衬底与源极相连，栅极与漏端相连，所述的偏置电压模块输出端设有In_p引脚。

7.根据权利要求1所述的LDO模块，其特征在于，所述的基准电压产生电路是由带隙基准模块bandgap输出端VBREG经运算放大器、PMOS管MPB、电阻Vb1、Vb2与Vref输入端连接，输出电压Vref＝VBREG×Vb2/(Vb1+Vb2)。

8.根据权利要求6所述的LDO模块，其特征在于，所述的In_p引脚与LPB引脚之间设有NMOS管MN_T，NMOS管MN_T的栅极导通电压由MOS管串联所得分压In_p提供，其源端与GND之间连接电容MC3。