[发明专利]一种高磁感软磁材料非晶超薄带的制备装置有效
申请号: | 202111190233.9 | 申请日: | 2021-10-13 |
公开(公告)号: | CN114029461B | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 宋成相;江沐风;贾义勇;秦飞 | 申请(专利权)人: | 朗峰新材料(菏泽)有限公司 |
主分类号: | B22D11/06 | 分类号: | B22D11/06;H01F1/153;C22C45/02;C22C33/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 274000 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高磁感软磁 材料 超薄 制备 装置 | ||
本发明公开了一种高磁感软磁材料非晶超薄带的制备装置,所述制备装置包括熔炼室和快淬室,所述熔炼室对合金材料进行熔炼,所述快淬室位于熔炼室下方,快淬室设有合金带材快淬冷却辊,快淬冷却辊旁设有输送辊道,将凝固的合金带材输送出快淬室,所述熔炼室中包括熔炼坩埚,所述熔炼坩埚下方设有浇注系统,所述浇注系统包括储液槽、浇道和浇口。快淬室中设有快淬冷却辊,所述快淬冷却辊通过电机实现高速旋转。所述快淬冷却辊旁设有输送系统。所述输送系统将超薄带材送至收集区。本发明可以实现分别单独送料、次序熔炼、浇注、输送。实现了非晶软磁合金材料的近连续式生产,提高了生产效率。
技术领域
本发明涉及新材料技术领域,尤其涉及一种高磁感软磁材料非晶超薄带的制备装置。
背景技术
纳米晶软磁合金是在非晶合金基础上发展起来的新型软磁材料,它由非晶基体及分布在该基体上的尺寸在10-15nm的体心立方结构纳米晶组成。其性能兼具传统晶态软磁材料高饱和磁感应强度和非晶态软磁材料低矫顽力、高磁导率和低损耗等优点,可以满足各类电气设备向高效节能、集成化方向发展的需求,且制备工艺简单,成本低廉,是重点支持和发展的新型绿色节能材料。
FINEMET合金具有高磁导率、低损耗等优异的综合软磁性能,并且可以在非真空条件下制备,研发不久就投入到工业应用中。但综合性能较好的Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9合金在最佳退火条件下的饱和磁感仅为1.24T,与高饱和磁感软磁材料相比,在相同工作条件下所需材料多,体积大,在一定程度上限制了其使用规模;NANOPERM合金具有高饱和磁感和较为优异的综合软磁性能,由于含有Zr等易氧化的贵金属元素,生产成本高,一直未能得到广泛应用;HITPERM合金的特点是居里温度高,适合高温环境中使用,但其软磁性能与FINEMET合金和NANOPERM合金相比较差。此外,该系列合金也需要在真空环境中制备,至今也未得到大规模应用。
因此,开发兼具高饱和磁感应强度、低损耗等优异软磁性能,同时制备工艺简单,原材料成本低廉的新型软磁材料是当前纳米晶软磁合金研究开发的热点与发展方向。通过制备技术改进、合金化元素配比优化及特殊的热处理工艺等手段,国内外科研工作者先后制备出FeSiBCu、FeNbBCu、FeNiB等系列纳米晶软磁合金,其饱和磁感应强度达1.75-1.9T,已接近于取向硅钢。与传统软磁材料相比,这些合金在众多应用中具有明显的优势,但仍存在很多问题,如在制备过程中,目前通常采用单辊甩带快速冷却的方式制备非晶带材,如CN202010100414.7、CN201810341629.0、201710649674.8等专利中所提到的,但目前所用的单辊甩带装置往往比较传统,难以实现高速连续、高产能的生产,无法适应现代工业化生产的需求。
发明内容
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种高磁感软磁材料非晶超薄带的制备装置。
本发明完整的技术方案包括:
一种高磁感软磁材料非晶超薄带的制备装置,所述制备装置包括熔炼室和快淬室,所述熔炼室对合金材料进行熔炼,所述快淬室位于熔炼室下方,快淬室设有合金带材快淬冷却辊,快淬冷却辊旁设有输送辊道,将凝固的合金带材输送出快淬室。
优选的,所述熔炼室中包括熔炼坩埚。
优选的,所述熔炼坩埚下方设有浇注系统。
优选的,所述浇注系统包括储液槽、浇道和浇口。
优选的,所述快淬室中设有快淬冷却辊,所述快淬冷却辊通过电机实现高速旋转。
优选的,所述快淬冷却辊旁设有输送系统。
优选的,所述输送系统前端设有退料挡块。
优选的,所述输送系统将超薄带材送至收集区。
本发明相对现有技术的优点为:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗峰新材料(菏泽)有限公司,未经朗峰新材料(菏泽)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202111190233.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。