[发明专利]磁场感测元件补偿电路及补偿方法

权利要求书

1.一种磁场感测元件补偿电路，其特征在于，包括：

至少一个磁场感测元件，每个所述磁场感测元件包括感测基板、感测反应层、至少两个感测电极和至少两个感测掺杂区；

至少一个参考电阻，每个所述参考电阻分别包括电阻基板、电阻反应层、至少两个电阻电极和至少两个电阻掺杂区；

至少一个电流源，分别连接所述磁场感测元件和所述参考电阻；

处理模块，连接所述磁场感测元件和所述参考电阻接入所述电流源的电极，配置为接收所述磁场感测元件的电压和所述参考电阻的电压、对应计算所述磁场感测元件和所述参考电阻的阻值，并调整所述磁场感测元件的输入和/或输出；

所述感测反应层、所述感测掺杂区与所述电阻反应层、所述电阻掺杂区形成相同的掺杂结构，所述磁场感测元件的平均电流配置为在第一平面内流动，所述电阻反应层具有第一厚度和第一长度，所述第一厚度和所述第一长度符合预设的倍数关系，以使所述参考电阻内平均电流至少部分沿第一厚度方向流动，所述第一厚度方向垂直于所述第一平面；

所述磁场感测元件补偿电路还包括第二切换模块，所述第二切换模块设置于所述电流源和所述参考电阻之间，且配置为切换所述参考电阻的不同的所述电阻电极与所述电流源的连接关系；所述处理模块配置为在不同的所述连接关系下，对应接收来自所述电阻电极的不同电压，并根据所述不同电压的均值，计算所述参考电阻的阻值。

2.根据权利要求1所述的磁场感测元件补偿电路，其特征在于，所述磁场感测元件补偿电路还包括第一切换模块，所述第一切换模块设置于所述电流源和所述磁场感测元件之间，且配置为切换所述磁场感测元件的不同的所述感测电极与所述电流源的连接关系；所述处理模块配置为在不同的所述连接关系下，对应接收来自所述感测电极的不同电压，并根据所述不同电压的均值，计算所述磁场感测元件的阻值。

3.根据权利要求1所述的磁场感测元件补偿电路，其特征在于，所述预设的倍数关系配置为：所述第一长度小于所述第一厚度的六倍。

4.根据权利要求1所述的磁场感测元件补偿电路，其特征在于，所述电阻反应层靠近所述电阻基板的第一表面设置，且所述电阻反应层为设置于所述电阻基板上的低浓度N型掺杂层和/或磊晶层，所述电阻掺杂区设置于所述电阻反应层内靠近所述第一表面一侧，且所述电阻掺杂区为高浓度N型掺杂区，所述电阻电极设置于所述电阻掺杂区远离所述电阻反应层一侧，所述电阻电极、所述电阻掺杂区和所述电阻反应层依次电性连接。

5.根据权利要求4所述的磁场感测元件补偿电路，其特征在于，所述参考电阻还包括电阻隔绝层，以及设置于所述电阻隔绝层内的隔绝掺杂区；所述电阻隔绝层靠近所述第一表面设置，且所述电阻隔绝层为设置于所述电阻反应层内的中等浓度P型掺杂层和/或氧化隔离层，所述隔绝掺杂区设置于所述电阻隔绝层靠近所述第一表面一侧，且所述隔绝掺杂区为高浓度P型掺杂区；所述电阻隔绝层设置于至少两个所述电阻掺杂区之间，配置为体积小于所述电阻反应层，且与所述电阻反应层形成用以导通电流的电流通道，所述电流通道至少部分沿所述第一厚度方向延伸。

6.根据权利要求4所述的磁场感测元件补偿电路，其特征在于，所述参考电阻包括第一电阻电极、第二电阻电极、第一电阻掺杂区、第二电阻掺杂区、第三电阻掺杂区、第一电阻反应层和第二电阻反应层，所述第三电阻掺杂区为形成于所述电阻基板上的高浓度N型掺杂区，且连接所述第一电阻反应层和所述第二电阻反应层，所述第一电阻电极、所述第一电阻掺杂区和所述第一电阻反应层设置于所述第三电阻掺杂区的一侧，所述第二电阻电极、所述第二电阻掺杂区和所述第二电阻反应层设置于所述第三电阻掺杂区的另一侧；所述第三电阻掺杂区在所述第一厚度方向的延伸长度小于所述第一电阻反应层和所述第二电阻反应层在所述第一厚度方向的延伸长度。