[发明专利]微波大功率超高动态范围高精度数控衰减器

权利要求书

1.微波大功率超高动态范围高精度数控衰减器，其特征在于：所述数控衰减器包括晶体管模块1、2、3和4，电阻R1、R2和R3，其中所述晶体管模块1和2串联后与晶体管模块3和4串联后并联，所述晶体管模块1和2一端与信号输入端相连，另一端与信号输出端相连，电阻R1一端与信号输入端相连，另一端与信号输出端相连，晶体管模块3和电阻R2一端与信号输入端相连，另一端与电阻R1一端相连，晶体管模块4和电阻R3一端与信号输出端相连，另一端与电阻R1一端相连，R2、R3的另一端都有接地处理，晶体管模块1和2的另一端与控制端A连接，晶体管模块3和4的另一端与控制端B连接，晶体管模块4还与连接点Q相连，所述连接点Q处在数控衰减器的输入端与输出端之间，且连接精度调节电路模块，所述精度调节电路的一端连接在所述数控衰减器的连接点Q处，另一端接地处理，其根据所述数控衰减器输入信号的频段高低和不同频段上的衰减精度要求，对数控衰减器的衰减精度进行调节优化。

2.根据权利要求1所述的微波大功率超高动态范围高精度数控衰减器，其特征在于，所述4个晶体管模块每一个都包括一个高电子迁移率晶体管M和一个保护电阻R。

3.根据权利要求2所述的微波大功率超高动态范围高精度数控衰减器，其特征在于，所述晶体管M1的源极与信号输入端相连、漏极与所述晶体管M2的源极相连、栅极与保护电阻R4相连，所述晶体管M2的漏极与信号输出端相连，栅极与保护电阻R5相连，保护电阻R4和R5分别与控制端A相连，所述晶体管M3的漏极与信号输入端相连、源极与电阻R1相连、栅极与保护电阻R6相连，所述晶体管M4的漏极与R1相连、源极与信号输出端相连、栅极与保护电阻R7相连，保护电阻R6和R7分别与控制端B相连。

4.根据权利要求1所述的微波大功率超高动态范围高精度数控衰减器，其特征在于，所述精度调节模块包括高电子迁移率晶体管以及串联的电容和电感。

5.根据权利要求4所述的微波大功率超高动态范围高精度数控衰减器，其特征在于，所述电感与所述电感串联后，其第一端接地，另一端连接所述晶体管的漏极，晶体管的源极通过连接点Q连接数控衰减器，栅极通过保护电阻输入控制对应精度调节支路接入数控衰减器的信号。

6.根据权利要求4所述的微波大功率超高动态范围高精度数控衰减器，其特征在于，所述电容和电感可以对所述接入数控衰减器的阻抗大小进行调整。

7.根据权利要求4-6所述的微波大功率超高动态范围高精度数控衰减器，其特征在于，所述精度调节模块电路包括多个精度调节支路，针对选定频段，其衰减精度要求越高，所述精度调节电路接入至所述数控衰减器的支路越多，阻抗越大。

8.根据权利要求2-6所述的微波大功率超高动态范围高精度数控衰减器，其特征在于，所述数控衰减器控制端进入晶体管信号和所述每一条精度调节支路控制端进入晶体管接入所述数控衰减器的信号，都是通过保护电阻输入。