[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上形成有多个图形化的初始目标结构；

形成覆盖所述基底和初始目标结构的填充层；

在所述填充层上形成第一硬掩膜材料层；

在所述第一硬掩膜材料层上形成多个图形化的光刻胶层，所述光刻胶层位于所述初始目标结构的顶部上方；

以所述图形化的光刻胶层为掩膜，图形化所述第一硬掩膜材料层，形成第一硬掩膜层；

将所述第一硬掩膜层的图形，通过所述填充层传递至所述初始目标结构中，形成目标结构。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，多个所述初始目标结构具有不同的高度。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，多个所述光刻胶层具有不同的宽度。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述填充层后，在所述填充层上形成第一硬掩膜材料层之前，还包括：形成覆盖所述填充层的第二硬掩膜材料层，其中，所述第二硬掩膜材料层的应力小于所述第一硬掩膜材料层的应力；

将所述第一硬掩膜层的图形，通过所述填充层传递至所述初始目标结构中的步骤包括：以所述第一硬掩膜层为掩膜，图形化所述第二硬掩模材料层，在所述第二硬掩膜材料层中形成开口，保留剩余所述第二硬掩膜材料层作为第二硬掩膜层；

形成所述第二硬掩膜层后，去除所述第一硬掩膜层；

以所述第二硬掩膜层为掩膜，图形化所述填充层和初始目标结构，形成目标结构。

5.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，以所述第二硬掩膜层为掩膜，图形化所述填充层和初始目标结构的步骤包括：采用一体化刻蚀工艺，刻蚀所述第二硬掩膜层、填充层和初始目标结构。

6.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，图形化所述第二硬掩膜材料层的步骤中，所述开口位于部分厚度的所述第二硬掩膜材料层中。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，图形化所述第二硬掩膜材料层的步骤中，位于所述开口底部的第二硬掩膜层的厚度为至

8.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述第一硬掩膜层后，以所述第二硬掩膜层为掩膜，图形化所述填充层和初始目标结构之前，还包括：对所述第二硬掩膜层进行第一修复处理，用于提高所述第二硬掩膜层的表面粗糙度。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在对所述第二硬掩膜层进行第一修复处理的步骤中，去除位于所述开口底部的第二硬掩膜层。

10.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用缓冲氧化物刻蚀工艺对所述第二硬掩膜层进行第一修复处理。

11.如权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一硬掩膜材料层上形成图形化的光刻胶层之前，还包括：形成覆盖所述第一硬掩膜材料层的抗反射涂层；

以所述图形化的光刻胶层为掩膜，图形化所述第一硬掩膜材料层之前，还包括：图形化所述抗反射涂层，形成掩膜开口；

沿所述掩膜开口，图形化所述第一硬掩膜材料层，形成第一硬掩膜层。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在以所述第一硬掩膜层为掩膜，图形化所述第二硬掩模材料层的步骤中，去除所述抗反射涂层。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述目标结构后，还包括：对所述目标结构进行第二修复处理，用于提高所述目标结构的表面粗糙度。