[发明专利]一种利用镧锰氧衬底增强单层二硫化钨谷极化度的方法

权利要求书

1.一种利用镧锰氧衬底增强单层二硫化钨谷极化度的方法，其特征在于，所述方法包括：

利用激光脉冲沉积法制备镧锰氧(LMO)薄膜；所述LMO薄膜的结构式为LaMnO₃，厚度为30nm到40nm；

制备薄层二硫化钨WS₂；薄层WS₂为1-10层WS₂分子厚度的WS₂材料；

通过干法转移的方法将所述薄层WS₂转移至所述LMO薄膜上，WS₂分子通过范德华力转移到所述LMO薄膜上，形成LMO衬底上具有单层WS₂分子的材料结构，从而利用镧锰氧衬底增强单层二硫化钨谷极化度；其中，所述LMO衬底上具有单层WS₂分子的材料结构为单层WS₂/LMO范德华异质结。

2.根据权利要求1所述的利用镧锰氧衬底增强单层二硫化钨谷极化度的方法，其特征在于，所述利用激光脉冲沉积法制备LMO薄膜具体为在700-750℃下通过脉冲激光沉积PLD系统在(001)取向的SrTiO₃(STO)衬底上沉积得到的LMO薄膜。

3.根据权利要求2所述的利用镧锰氧衬底增强单层二硫化钨谷极化度的方法，其特征在于，在所述沉积过程中，所述脉冲激光沉积PLD系统使用中心波长为308nm的XeCl激光器在2-4Hz的频率下提供1.2-1.8Jcm^-2的激光密度，靶材料与STO衬底的距离为7-10cm，氧分压保持在0.5-2Pa；所述沉积过程的时长为15-20min，之后以20-30℃/min的速率冷却至室温。

4.根据权利要求1所述的利用镧锰氧衬底增强单层二硫化钨谷极化度的方法，其特征在于，所述LMO薄膜为铁磁材料，居里温度为130K-180K。

5.根据权利要求1所述的利用镧锰氧衬底增强单层二硫化钨谷极化度的方法，其特征在于，所述制备薄层二硫化钨的方法为机械剥离法，具体包括：

从块状的WS₂材料上切割长、宽分别为0.2-0.3cm大小的片材，放到3MScotch胶带上，将胶带对折后再展开，反复5-8次；

将聚二甲基硅氧烷(PDMS)薄膜按压在展开的胶带上具有WS₂材料的一侧，将粘有WS₂材料的PDMS从胶带上揭下，即得到所述薄层二硫化钨。

6.根据权利要求5所述的利用镧锰氧衬底增强单层二硫化钨谷极化度的方法，其特征在于，在所述得到所述薄层二硫化钨之后，所述方法还包括：将粘有WS₂材料的PDMS薄膜放置在光学显微镜下，定性的确定所述薄层WS₂的厚度。

7.根据权利要求5所述的利用镧锰氧衬底增强单层二硫化钨谷极化度的方法，其特征在于，所述通过干法转移的方法将所述薄层WS₂转移至所述LMO薄膜上具体包括：

将所述薄层WS₂的WS₂一面朝向所述LMO薄膜按压到LMO薄膜上；

将LMO薄膜放到热台上，90到100℃加热1-2分钟，通过加热使PDMS薄膜失粘，揭下PDMS薄膜，并且通过范德华力使得WS₂转移到LMO薄膜上。

8.根据权利要求6所述的利用镧锰氧衬底增强单层二硫化钨谷极化度的方法，其特征在于，在形成所述LMO衬底上具有单层WS₂分子的材料结构之后，所述方法还包括：通过原子力显微镜(AFM)测量LMO衬底上的WS₂材料的厚度，确定所述厚度在1nm以下。