[发明专利]一种限流保护电路

权利要求书

1.一种限流保护电路，包括H桥电路，所述H桥电路还包括上管驱动电路、下管驱动电路、PMOS管MP21、PMOS管MP22、NMOS管MN25和NMOS管MN26，所述上管驱动电路、所述下管驱动电路、所述PMOS管MP21、所述PMOS管MP22、所述NMOS管MN25和所述NMOS管MN26之间电性连接；其特征在于：还包括检测电路、限流设定电路和可变增益放大器，所述检测电路包括NMOS管MN27和NMOS管MN28，所述NMOS管MN27的漏端与所述H桥电路的输出VOUTP连接，所述NMOS管MN27的栅端与所述NMOS管MN25的栅端连接，所述NMOS管MN28的漏端与所述H桥电路的输出VOUTN连接，所述NMOS管MN28的栅端和所述NMOS管MN26的栅端连接；所述限流设定电路包括NMOS管MN21和NMOS管MN22，所述NMOS管MN21的栅端与所述NMOS管MN25的栅端连接，所述NMOS管MN22的栅端与所述NMOS管MN26的栅端连接，所述NMOS管MN21与所述NMOS管MN22的漏端与PMOS管MP23的漏端连接；所述可变增益放大器包括PMOS管MP24、PMOS管MP25、PMOS管MP26、NMOS管MN29、NMOS管MN30和NMOS管MN31，所述PMOS管MP24的源端与VDD端连接，所述PMOS管MP24的栅端与所述PMOS管MP23的栅端连接，所述PMOS管MP24的漏端与所述PMOS管MP25和所述PMOS管MP26的源端连接，所述PMOS管MP26的栅端与所述NMOS管MN27和所述NMOS管MN28的源端连接，所述PMOS管MP25的栅端与所述NMOS管MN21和所述NMOS管MN22的源端连接，所述PMOS管MP26的漏端与所述NMOS管MN29的漏端连接，所述PMOS管MP26的漏端与所述NMOS管MN29和所述NMOS管MN30的栅端连接，所述PMOS管MP25的漏端与所述NMOS管MN30和所述NMOS管MN31的漏端连接，所述PMOS管MP25的漏端与所述NMOS管MN31、NMOS管MN23和NMOS管MN24的栅端连接，所述NMOS管MN29、所述NMOS管MN30和所述NMOS管MN31的源端与所述NMOS管MN23和所述NMOS管MN24的源端连接，所述NMOS管MN23和所述NMOS管MN24的漏端与所述上管驱动电路连接；所述NMOS管MN21与所述NMOS管MN22的源端与GND端连接，所述PMOS管MP23的源端连接所述VDD端，所述PMOS管MP23和所述PMOS管MP24的栅端与PMOS管MP27的栅端连接，所述PMOS管MP27的源端与VDD端连接，所述PMOS管MP27的漏端与定值电阻R1和运放电路同相输入端连接。

2.根据权利要求1所述的一种限流保护电路，其特征在于：所述VOUTP上的电压为V_VOUTP＝I_MN5*R_MN5，所述R_MN5为所述NMOS管MN25的导通电阻，I_MN5为流过所述NMOS管MN25的电流。

3.根据权利要求1所述的一种限流保护电路，其特征在于：所述NMOS管MN21和所述NMOS管MN22与所述NMOS管MN25和所述NMOS管MN26的沟道宽长比为所述为所述NMOS管MN25和所述NMOS管MN26的沟道宽长比，所述NMOS管MN25和所述NMOS管MN26为H桥的低边功率驱动管；所述为所述NMOS管MN21和所述NMOS管MN22的沟道宽长比，所述NMOS管MN21和所述NMOS管MN22为流过H桥电流的采样管；所述n为所述H桥低边功率管和所述采样管的尺寸比值。

4.根据权利要求1所述的一种限流保护电路，其特征在于：所述PMOS管MP27上的电流为所述R1为得到电流I_REF所需要的定值电阻；所述V_BG是不随电源电压变化和温度变化影响的带隙基准电压。

5.根据权利要求1所述的一种限流保护电路，其特征在于：所述可变增益放大器的增益为gm_MP25，gm_MN31分别是所述PMOS管MP25和所述NMOS管MN31的跨导。