[发明专利]防凝露控温方法、系统及电路控制板有效

专利信息
申请号: 202111183806.5 申请日: 2021-10-11
公开(公告)号: CN113870906B 公开(公告)日: 2023-04-07
发明(设计)人: 郑奇;叶裕明;李运彬;俞富成 申请(专利权)人: 重庆紫光华山智安科技有限公司
主分类号: G11B33/14 分类号: G11B33/14;G05D27/02
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 张欣欣
地址: 400700 重庆市*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 防凝露控温 方法 系统 电路 控制板
【权利要求书】:

1.一种防凝露控温方法,其特征在于,应用于一种防凝露控温系统,所述防凝露控温系统包括硬盘、电路控制板、半导体制冷片、导热金属板和热敏电阻,所述半导体制冷片包括冷面和热面,所述导热金属板通过导热介质分别与所述半导体制冷片的冷面和所述硬盘的外表面接触,所述热敏电阻固定在所述导热金属板上,所述电路控制板包括处理芯片和温湿度传感器,所述处理芯片分别与所述温湿度传感器、所述热敏电阻和所述半导体制冷片电连接,所述方法包括:

所述处理芯片获取所述硬盘的温度及所述硬盘的环境温度,所述硬盘的温度由所述热敏电阻感应得到,所述硬盘的环境温度为所述温湿度传感器采集到的所述电路控制板的温度减去预先获得的测试温差;

所述处理芯片根据所述硬盘的环境温度,确定参考温度,其中,所述参考温度是用于表征所述硬盘出现凝露的临界温度;

所述处理芯片根据所述硬盘的温度与所述参考温度的温度差值,调整所述半导体制冷片的工作功率,以使所述硬盘的温度处于预设范围、且所述硬盘不出现凝露。

2.根据权利要求1所述的防凝露控温方法,其特征在于,所述处理芯片根据所述硬盘的环境温度,确定参考温度的步骤,包括:

所述温湿度传感器采集所述硬盘的环境温度;

所述处理芯片从所述温湿度传感器获取所述硬盘的环境温度;

所述处理芯片将所述环境温度作为所述参考温度。

3.根据权利要求1所述的防凝露控温方法,其特征在于,所述处理芯片根据所述硬盘的环境温度,确定参考温度的步骤,还包括:

所述温湿度传感器采集所述硬盘的环境湿度;

所述处理芯片从所述温湿度传感器获取所述硬盘的环境湿度;

所述处理芯片根据所述硬盘的环境温度和环境湿度,确定露点温度;

所述处理芯片将所述露点温度作为所述参考温度。

4.根据权利要求1所述的防凝露控温方法,其特征在于,所述处理芯片根据所述硬盘的温度与所述参考温度的温度差值,调整所述半导体制冷片的工作功率的步骤,包括:

所述处理芯片判断所述硬盘的温度是否大于所述参考温度;

若所述硬盘的温度大于所述参考温度,所述处理芯片根据所述温度差值调整所述半导体制冷片的工作功率;

若所述硬盘的温度不大于所述参考温度,所述处理芯片关闭所述半导体制冷片。

5.根据权利要求4所述的防凝露控温方法,其特征在于,所述处理芯片根据所述温度差值调整所述半导体制冷片的工作功率的步骤,包括:

若所述温度差值大于预设值,所述处理芯片将所述半导体制冷片的工作功率调整为预设的第一功率。

6.根据权利要求5所述的防凝露控温方法,其特征在于,所述处理芯片根据所述温度差值调整所述半导体制冷片的工作功率的步骤还包括:

若所述温度差值不大于所述预设值,所述处理芯片根据预设函数计算所述温度差值对应的第二功率,所述预设函数是根据所述硬盘的测试温度和所述半导体制冷片的测试功率之间的关系拟合而成;

所述处理芯片将所述半导体制冷片的工作功率调整为所述第二功率。

7.根据权利要求6所述的防凝露控温方法,其特征在于,所述预设函数为分段函数。

8.根据权利要求1所述的防凝露控温方法,其特征在于,所述处理芯片根据所述硬盘的温度与所述参考温度的温度差值,调整所述半导体制冷片的工作功率的步骤之后,包括:

所述处理芯片获取每一预设周期的所述硬盘的温度及所述硬盘的环境温度,并根据每一所述预设周期的所述硬盘的环境温度,确定每一所述预设周期的参考温度;

所述处理芯片根据每一所述预设周期的所述硬盘的温度与所述参考温度的温度差值,调整每一所述预设周期内所述半导体制冷片的工作功率。

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