[发明专利]一种双栅驱动设备的显示结构及显示装置在审
申请号: | 202111183321.6 | 申请日: | 2021-10-11 |
公开(公告)号: | CN113937110A | 公开(公告)日: | 2022-01-14 |
发明(设计)人: | 许星;边若梅;王建;张勇;秦相磊;金红贵;唐亮珍;张武霖;武志恺;张冬华;曲峰;尹晓峰;孙平原 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G09F9/30 |
代理公司: | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人: | 庄何媛;范继晨 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 驱动 设备 显示 结构 显示装置 | ||
本公开提供了一种双栅驱动设备的显示结构及显示装置,该双栅驱动设备的显示结构包括:依次设置的基板、薄膜晶体管、绝缘层和钝化层形成的多个像素区域;栅线,栅线用于传输显示信号,两条栅线贯穿每个像素区域;每个像素区域内设置的两个薄膜晶体管分别设置在两条栅线形成的第一空间两侧。本公开通过将每个像素区域内的两个膜晶体管分别设置在两条栅线形成的第一空间两侧,以解决传统技术中显示设备的显示屏闪烁的风险以及串扰的概率均较高的问题,也即增大了显示结构存储电容,降低了显示屏闪烁的风险以及串扰的概率。
技术领域
本公开涉及显示技术领域,具体而言,涉及一种双栅驱动设备的显示结构及显示装置。
背景技术
在显示领域,对显示设备的高清显示以及超高清显示的需求越来越多,也即对于小尺寸高PPI的电子设备的需求已经与日俱增,其中,PPI(Pixel Per Inch)为图像分辨率的单位,其表示是每英寸所拥有的像素(Pixel)数目。可知地,PPI数值越高代表显示设备的显示屏能够以越高的密度显示图像,显示的密度越高,画面拟真度越高,显示画面越真实。
但是,高PPI意味着小尺寸产品的像素也越来越小,设计空间往往十分极限,现有技术中在工艺上无法将钝化层的厚度降低,进而使得显示设备的显示屏闪烁的风险以及串扰的概率均较高。
发明内容
有鉴于此,本公开的目的在于提供一种双栅驱动设备的显示结构及显示装置,能够解决传统技术中显示设备的显示屏闪烁的风险以及串扰的概率均较高的问题。
第一方面,本公开提供了一种双栅驱动设备的显示结构,其中,包括:
基板、薄膜晶体管以及栅线;
所述栅线用于传输显示信号,两条所述栅线贯穿显示结构中包括的每个像素区域;
每个所述像素区域内设置的两个所述薄膜晶体管分别设置在两条所述栅线形成的第一空间两侧。
在一种可能的实施方式中,所述栅线与所述薄膜晶体管的栅极连接。
在一种可能的实施方式中,所述薄膜晶体管位于所述像素区域的边角区域。
在一种可能的实施方式中,还包括:
绝缘层和钝化层;
设置在所述绝缘层与所述钝化层之间的像素电极;
设置在所述钝化层上的公共电极。
在一种可能的实施方式中,所述像素区域内包括一个像素电极以及一个公共电极,所述公共电极的中心线在所述基板上的投影与所述像素电极的中心线重叠在所述基板上的投影重合。
在一种可能的实施方式中,所述公共电极的宽度为4.5um。
在一种可能的实施方式中,两个相邻所述公共电极之间的间隔为5um。
在一种可能的实施方式中,所述像素电极的宽度大于所述公共电极的宽度,所述像素电极的宽度与所述公共电极的宽度之间的宽度差值大于或等于5.8um。
在一种可能的实施方式中,所述栅线的宽度大于或等于3.5um,两条所述栅线之间的垂直距离大于或等于5.2um。
第二方面,本公开还提供了一种双栅驱动产品的显示装置,其包括:
上述第一方面中任一实施方式所述的显示结构。
本公开实施例通过将每个像素区域内的两个膜晶体管分别设置在两条栅线形成的第一空间两侧,以解决传统技术中显示设备的显示屏闪烁的风险以及串扰的概率均较高的问题,也即增大了显示结构存储电容,降低了显示屏闪烁的风险以及串扰的概率。
为使本公开的上述目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合所附附图,作详细说明如下。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的