[发明专利]一种具有钝化保护膜的量子点复合转光材料

权利要求书

1.一种具有钝化保护膜的量子点复合转光材料，其特征在于：包括基底和沉积于所述基底表面的钝化保护膜；

所述基底为内部填充有量子点的聚硅氧烷微球，所述聚硅氧烷微球按照如下方法制备：将硅烷单体加入量子点溶液中，搅拌后静置得到的白色沉淀物即为所述聚硅氧烷微球，所述硅烷单体选自脲丙基三甲氧基硅烷、脲丙基三乙氧基硅烷、甲基苯基二甲氧基硅烷、二甲氧基甲基乙烯基硅烷、正丙基三甲氧基硅烷、正十二烷基三甲氧基硅烷、三甲氧基(7-辛烯-1-基)硅烷中的任意一种；

构成所述钝化保护膜的物质为玻璃态物质、结晶态物质中的至少一种；

构成所述钝化保护膜的物质包括SiO₂、Si₃N₄、SiON、Al₂O₃中的至少一种；

通过等离子增强化学气相沉积法在所述基底的表面沉积所述钝化保护膜，包括以下步骤：

使含有组成所述钝化保护膜的元素的反应气体发生局部电离，以形成等离子体；利用所述等离子体在所述基底的表面与未反应的所述反应气体发生碰撞，以反应生成构成所述钝化保护膜的沉积分子；所述沉积分子沉积在所述基底的表面并在所述基底的表面扩散，形成所述钝化保护膜。

2.如权利要求1所述具有钝化保护膜的量子点复合转光材料，其特征在于：所述钝化保护膜的厚度不超过100nm。

3.如权利要求1所述具有钝化保护膜的量子点复合转光材料，其特征在于：所述量子点为CuInS₂。

4.如权利要求3所述具有钝化保护膜的量子点复合转光材料，其特征在于：所述量子点的表面被ZnS修饰。

5.如权利要求1所述具有钝化保护膜的量子点复合转光材料，其特征在于：在所述基底的表面沉积所述钝化保护膜的过程中，使所述基底的表面温度保持在300℃以下。

6.如权利要求5所述具有钝化保护膜的量子点复合转光材料，其特征在于：在所述基底的表面沉积所述钝化保护膜的过程中，使所述基底的表面温度介于100～200℃。

7.如权利要求6所述具有钝化保护膜的量子点复合转光材料，其特征在于：与所述等离子体发生反应的所述反应气体在反应前的总压力不超过100Pa。