[发明专利]一种基于MHD的电磁波与磁化等离子体作用数值模拟方法有效
| 申请号: | 202111178535.4 | 申请日: | 2021-10-10 |
| 公开(公告)号: | CN113887104B | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
| 发明(设计)人: | 陈靓;何凌磊;高敬帆;闫玉波;李清亮;郝书吉;杨巨涛;车海琴;董慧;吕立斌;马广林;满莉 | 申请(专利权)人: | 中国电波传播研究所(中国电子科技集团公司第二十二研究所) |
| 主分类号: | G06F30/23 | 分类号: | G06F30/23;G06F111/10;G06F113/08;G06F119/08 |
| 代理公司: | 青岛博雅知识产权代理事务所(普通合伙) 37317 | 代理人: | 封代臣 |
| 地址: | 266107 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 基于 mhd 电磁波 磁化 等离子体 作用 数值 模拟 方法 | ||
1.一种基于MHD的电磁波与磁化等离子体作用数值模拟方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1,确定MHD模型:
步骤11,建立电磁波与磁化等离子体相互作用的控制方程组,如下式:
其中,下标α表示等离子体的种类:电子e或氧离子O+,分别指x,y,z方向的单位向量,表示磁场扰动,表示电场扰动,是随时间变化的等离子体速度,Nα为等离子体的数密度,式(1)中μ是磁导张量,σm为磁损耗张量,式(2)中ε为介电张量,σe为电损耗,qe=-e,qO+=e分别表示带电荷量,电流由电子运动和离子运动形成,即式(4)中mα分别为me电子质量,氧离子质量,B0表示外加磁场,忽略入射电磁波产生的扰动磁场,να为碰撞频率,kB是玻尔兹曼常数,Tα是等离子体温度;
步骤12,选取二维平面xOz为外加磁场所在的平面,忽略上述物理参数在y方向梯度的变化ψ为任意参量,只考虑外加磁场平面上梯度的变化,即垂直方向z方向和x方向的梯度变化,将式(1)至(4)展开,如下式:
步骤2,初始化参数,包括确定计算参量时域和空间域的离散化方案和输入模型文件:
步骤21,确定计算参量时域和空间域的离散化方案:
确定时域递推方案采用蛙跳交替的离散方式,更新循环为:二维空间域是由Nx×Nz个Yee单元构成的网格,以单元的大小作为分辨率,每个场分量的实际位置与标志具有如下关系:
定义Ex、Hx、Uαx的大小为Nx×Nzp1的零矩阵、Ez、Hz、Uαz的大小为Nxp1×Nz的零矩阵,Ey、Hy、Uαy的大小为Nx×Nz的零矩阵,此处Nzp1=Nz+1,Nxp1=Nx+1;
步骤22,输入模型文件:
具体输入的参数包括:计算区域大小x方向网格数Nx,z方向网格数Nz;空间步长Δx,Δz;时间步长Δt;真空磁导率μ0;真空介电系数ε0;玻尔兹曼常数kB;带电荷量e;电子质量me,离子质量mO+;碰撞频率να;外加磁场B0x、B0z;电子密度分布Ne0,离子密度分布Ni0;电磁回旋频率ωce;入射电磁波的位置Source_x,Source_z;频率f0;入射波波长λ;确定电磁波的波形,包括余弦函数调制的高斯波形τ为以参数决定高斯脉冲在时域和频域的宽度,为时间移动,余弦波形Wave(t)=cos(2πf(t-t0));确定入射电磁波的极化Ex_wave=Wave(t)tan(φ),Ey_wave=Wave(t)cot(φ);电磁波CPML吸收边界,其相关参数PML层的厚度d,σmax,κmax,amax取值范围为[0,0.05];采样点的坐标为sample_x,sample_z);
步骤3,基于时域有限差分法更新磁场分量
首次循环中,利用步骤2所得电场分量,非首次循环,电场分量系数为步骤6所得,更新计算整个计算区域的磁场分量具体为:
步骤4,基于高斯消元法更新计算等离子体速度
首次循环,采用步骤2所得的电场分量,等离子体速度分量,等离子体密度参数,非首次循环,采用步骤5所得电子和离子密度分布,步骤6所得电场分量,基于高斯消元法更新整个计算区域等离子体速度分量具体为:
将速度更新公式简化为:
化简式(13)左边为:
其中,
同理,化简式(13)右边为:
其中,
由此更新方程简化为:
即:
式中
采用高斯消元法将式(19)的左手边系数矩阵最终化简为三角矩阵,即:
式中,
等离子体速度的更新式为:
步骤5,基于约束插值曲线法更新计算等离子体密度分布
利用步骤4所得等离子体速度分量参数,更新计算整个计算区域的离子体密度分布,在二维空间中逐步在各维度上应用约束插值曲线法,具体为:首先计算中间变量
为对应的数密度在x、z方向的偏导,C(x,Δt)为x方向上应用CIP方法,S(x,Δt)为在x方向上采用中心差分所得结果,根据中间变量得到下一时间点等离子体密度的结果:
具体x方向的输运方程为:
化为一般化的运输方程:
f=Nαx,u=Uαx,
对上式作偏导,有:
式中,
引入三阶插值:
Fi(x)=A1iX3+A2iX2+giX+fi (30)
X=x-xi,假设下边界xi=0,因此三阶插值为:
Fi(x)=A1ix3+A2ix2+gix+fi (31)
其中,三阶、二阶系数分别为:
D≡xiup=-Δx·sgn(ui),下标iup=i-sgn(ui),ui表示i位置的各方向速度大小,判断函数sgn(ui)为:
将x=0,x=D代入三阶插值函数Fi(x),得边界条件:
根据对流特征,可得:
F(x,t+Δt)=F(x-uΔt,t) (36)
因此通过上式可得:
其中,ξ=-μiΔt;
步骤6,采用时域有限差分离散格式计算电场分量
采用步骤3所得等离子体磁场分量参数,步骤4所得等离子体速度参数,以及步骤5所得等离子体密度参数,计算更新电场分量具体为:
步骤7,记录采样点的电磁场、等离子体速度、等离子密度数据;
步骤8,将n+1赋值给n,并判断n是否达到预设时间步数,若未达到预设值,则返回步骤3,若达到预设值,则结束。
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