[发明专利]一种基于MHD的电磁波与磁化等离子体作用数值模拟方法有效

专利信息
申请号: 202111178535.4 申请日: 2021-10-10
公开(公告)号: CN113887104B 公开(公告)日: 2022-11-29
发明(设计)人: 陈靓;何凌磊;高敬帆;闫玉波;李清亮;郝书吉;杨巨涛;车海琴;董慧;吕立斌;马广林;满莉 申请(专利权)人: 中国电波传播研究所(中国电子科技集团公司第二十二研究所)
主分类号: G06F30/23 分类号: G06F30/23;G06F111/10;G06F113/08;G06F119/08
代理公司: 青岛博雅知识产权代理事务所(普通合伙) 37317 代理人: 封代臣
地址: 266107 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 mhd 电磁波 磁化 等离子体 作用 数值 模拟 方法
【权利要求书】:

1.一种基于MHD的电磁波与磁化等离子体作用数值模拟方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤1,确定MHD模型:

步骤11,建立电磁波与磁化等离子体相互作用的控制方程组,如下式:

其中,下标α表示等离子体的种类:电子e或氧离子O+,分别指x,y,z方向的单位向量,表示磁场扰动,表示电场扰动,是随时间变化的等离子体速度,Nα为等离子体的数密度,式(1)中μ是磁导张量,σm为磁损耗张量,式(2)中ε为介电张量,σe为电损耗,qe=-e,qO+=e分别表示带电荷量,电流由电子运动和离子运动形成,即式(4)中mα分别为me电子质量,氧离子质量,B0表示外加磁场,忽略入射电磁波产生的扰动磁场,να为碰撞频率,kB是玻尔兹曼常数,Tα是等离子体温度;

步骤12,选取二维平面xOz为外加磁场所在的平面,忽略上述物理参数在y方向梯度的变化ψ为任意参量,只考虑外加磁场平面上梯度的变化,即垂直方向z方向和x方向的梯度变化,将式(1)至(4)展开,如下式:

步骤2,初始化参数,包括确定计算参量时域和空间域的离散化方案和输入模型文件:

步骤21,确定计算参量时域和空间域的离散化方案:

确定时域递推方案采用蛙跳交替的离散方式,更新循环为:二维空间域是由Nx×Nz个Yee单元构成的网格,以单元的大小作为分辨率,每个场分量的实际位置与标志具有如下关系:

定义Ex、Hx、Uαx的大小为Nx×Nzp1的零矩阵、Ez、Hz、Uαz的大小为Nxp1×Nz的零矩阵,Ey、Hy、Uαy的大小为Nx×Nz的零矩阵,此处Nzp1=Nz+1,Nxp1=Nx+1;

步骤22,输入模型文件:

具体输入的参数包括:计算区域大小x方向网格数Nx,z方向网格数Nz;空间步长Δx,Δz;时间步长Δt;真空磁导率μ0;真空介电系数ε0;玻尔兹曼常数kB;带电荷量e;电子质量me,离子质量mO+;碰撞频率να;外加磁场B0x、B0z;电子密度分布Ne0,离子密度分布Ni0;电磁回旋频率ωce;入射电磁波的位置Source_x,Source_z;频率f0;入射波波长λ;确定电磁波的波形,包括余弦函数调制的高斯波形τ为以参数决定高斯脉冲在时域和频域的宽度,为时间移动,余弦波形Wave(t)=cos(2πf(t-t0));确定入射电磁波的极化Ex_wave=Wave(t)tan(φ),Ey_wave=Wave(t)cot(φ);电磁波CPML吸收边界,其相关参数PML层的厚度d,σmax,κmax,amax取值范围为[0,0.05];采样点的坐标为sample_x,sample_z);

步骤3,基于时域有限差分法更新磁场分量

首次循环中,利用步骤2所得电场分量,非首次循环,电场分量系数为步骤6所得,更新计算整个计算区域的磁场分量具体为:

步骤4,基于高斯消元法更新计算等离子体速度

首次循环,采用步骤2所得的电场分量,等离子体速度分量,等离子体密度参数,非首次循环,采用步骤5所得电子和离子密度分布,步骤6所得电场分量,基于高斯消元法更新整个计算区域等离子体速度分量具体为:

将速度更新公式简化为:

化简式(13)左边为:

其中,

同理,化简式(13)右边为:

其中,

由此更新方程简化为:

即:

式中

采用高斯消元法将式(19)的左手边系数矩阵最终化简为三角矩阵,即:

式中,

等离子体速度的更新式为:

步骤5,基于约束插值曲线法更新计算等离子体密度分布

利用步骤4所得等离子体速度分量参数,更新计算整个计算区域的离子体密度分布,在二维空间中逐步在各维度上应用约束插值曲线法,具体为:首先计算中间变量

为对应的数密度在x、z方向的偏导,C(x,Δt)为x方向上应用CIP方法,S(x,Δt)为在x方向上采用中心差分所得结果,根据中间变量得到下一时间点等离子体密度的结果:

具体x方向的输运方程为:

化为一般化的运输方程:

f=Nαx,u=Uαx

对上式作偏导,有:

式中,

引入三阶插值:

Fi(x)=A1iX3+A2iX2+giX+fi (30)

X=x-xi,假设下边界xi=0,因此三阶插值为:

Fi(x)=A1ix3+A2ix2+gix+fi (31)

其中,三阶、二阶系数分别为:

D≡xiup=-Δx·sgn(ui),下标iup=i-sgn(ui),ui表示i位置的各方向速度大小,判断函数sgn(ui)为:

将x=0,x=D代入三阶插值函数Fi(x),得边界条件:

根据对流特征,可得:

F(x,t+Δt)=F(x-uΔt,t) (36)

因此通过上式可得:

其中,ξ=-μiΔt;

步骤6,采用时域有限差分离散格式计算电场分量

采用步骤3所得等离子体磁场分量参数,步骤4所得等离子体速度参数,以及步骤5所得等离子体密度参数,计算更新电场分量具体为:

步骤7,记录采样点的电磁场、等离子体速度、等离子密度数据;

步骤8,将n+1赋值给n,并判断n是否达到预设时间步数,若未达到预设值,则返回步骤3,若达到预设值,则结束。

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